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APT70GR65B2SCD30

配單專(zhuān)家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
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  • APT70GR65B2SCD30
    APT70GR65B2SCD30

    APT70GR65B2SCD30

  • 中山市翔美達(dá)電子科技有限公司
    中山市翔美達(dá)電子科技有限公司

    聯(lián)系人：朱小姐

    電話(huà)：155020706551802218672813590991023

    地址：火炬開(kāi)發(fā)區(qū)中山港大道99號(hào)金盛廣場(chǎng)1棟613室

  • 9688

  • TI

  • NA

  • 19+

  • -

  • 公司全新原裝正品,QQ153058080...

  • APT70GR65B2SCD30
    APT70GR65B2SCD30

    APT70GR65B2SCD30

  • 深圳市科宏特電子有限公司
    深圳市科宏特電子有限公司

    聯(lián)系人：李瑞兵

    電話(huà)：18897698645

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路華強(qiáng)電子世界三店佳和4C148

  • 36000000

  • Microsemi

  • 22+

  • -

  • 原裝正品

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  • 1
APT70GR65B2SCD30 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • IGBT NPT 650V 134A 595W Through Hole T-MAX? [B2]
  • 制造商
  • microsemi corporation
  • 系列
  • *
  • 包裝
  • 散裝
  • 零件狀態(tài)
  • 有效
  • IGBT 類(lèi)型
  • NPT
  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）
  • 650V
  • 電流 - 集電極（Ic）（最大值）
  • 134A
  • 脈沖電流 - 集電極 (Icm)
  • 260A
  • 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）
  • 2.4V @ 15V，70A
  • 功率 - 最大值
  • 595W
  • 開(kāi)關(guān)能量
  • *
  • 輸入類(lèi)型
  • *
  • 柵極電荷
  • 305nC
  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值
  • 19ns/170ns
  • 測(cè)試條件
  • 433V，70A，4.3 歐姆，15V
  • 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）
  • -
  • 封裝/外殼
  • TO-247-3
  • 安裝類(lèi)型
  • 通孔
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • T-MAX? [B2]
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
APT70GR65B2SCD30 技術(shù)參數(shù)
  • APT70GR65B2DU40 功能描述:IGBT NPT 650V 134A 595W Through Hole T-MAX? [B2] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 IGBT 類(lèi)型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:134A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):280A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.4V @ 15V，70A 功率 - 最大值:595W 開(kāi)關(guān)能量:* 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:305nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:18ns/170ns 測(cè)試條件:433V，70A，4.3 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類(lèi)型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:T-MAX? [B2] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT70GR65B 功能描述:IGBT NPT 650V 134A 595W Through Hole TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類(lèi)型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:134A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):260A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.4V @ 15V，70A 功率 - 最大值:595W 開(kāi)關(guān)能量:1.51mJ（開(kāi)），1.46mJ（關(guān)） 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:305nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:19ns/170ns 測(cè)試條件:433V，70A，4.3 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類(lèi)型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT70GR120L 功能描述:IGBT NPT 1200V 160A 961W Through Hole TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類(lèi)型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:160A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):280A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:3.2V @ 15V，70A 功率 - 最大值:961W 開(kāi)關(guān)能量:3.82mJ（開(kāi)），2.58mJ（關(guān)） 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:544nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:33ns/278ns 測(cè)試條件:600V，70A，4.3 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-264-3，TO-264AA 安裝類(lèi)型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-264 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT70GR120JD60 功能描述:IGBT Module NPT Single 1200V 112A 543W Chassis Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 IGBT 類(lèi)型:NPT 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:112A 功率 - 最大值:543W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:3.2V @ 15V，70A 電流 - 集電極截止（最大值）:1.1mA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:7.26nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4 供應(yīng)商器件封裝:SOT-227 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT70GR120J 功能描述:IGBT Module NPT Single 1200V 112A 543W Chassis Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 IGBT 類(lèi)型:NPT 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:112A 功率 - 最大值:543W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:3.2V @ 15V，70A 電流 - 集電極截止（最大值）:1mA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:7.26nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4 供應(yīng)商器件封裝:SOT-227 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT75F50B2 APT75F50L APT75GN120B2G APT75GN120J APT75GN120JDQ3 APT75GN120JDQ3G APT75GN120LG APT75GN60B2DQ3G APT75GN60BG APT75GN60LDQ3G APT75GP120B2G APT75GP120J APT75GP120JDQ3 APT75GT120JRDQ3 APT75GT120JU2 APT75GT120JU3 APT75M50B2 APT75M50L
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