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APT70GR65B2DU40

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說明
  • 操作
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APT70GR65B2DU40 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • IGBT NPT 650V 134A 595W Through Hole T-MAX? [B2]
  • 制造商
  • microsemi corporation
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • 散裝
  • 零件狀態(tài)
  • 有效
  • IGBT 類型
  • NPT
  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值)
  • 650V
  • 電流 - 集電極(Ic)(最大值)
  • 134A
  • 脈沖電流 - 集電極 (Icm)
  • 280A
  • 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on)
  • 2.4V @ 15V,70A
  • 功率 - 最大值
  • 595W
  • 開關(guān)能量
  • *
  • 輸入類型
  • 標(biāo)準(zhǔn)
  • 柵極電荷
  • 305nC
  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值
  • 18ns/170ns
  • 測(cè)試條件
  • 433V,70A,4.3 歐姆,15V
  • 反向恢復(fù)時(shí)間(trr)
  • -
  • 封裝/外殼
  • TO-247-3
  • 安裝類型
  • 通孔
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • T-MAX? [B2]
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
APT70GR65B2DU40 技術(shù)參數(shù)
  • APT70GR65B 功能描述:IGBT NPT 650V 134A 595W Through Hole TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿(最大值):650V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):134A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):260A 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):2.4V @ 15V,70A 功率 - 最大值:595W 開關(guān)能量:1.51mJ(開),1.46mJ(關(guān)) 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:305nC 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:19ns/170ns 測(cè)試條件:433V,70A,4.3 歐姆,15V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT70GR120L 功能描述:IGBT NPT 1200V 160A 961W Through Hole TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):160A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):280A 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):3.2V @ 15V,70A 功率 - 最大值:961W 開關(guān)能量:3.82mJ(開),2.58mJ(關(guān)) 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:544nC 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:33ns/278ns 測(cè)試條件:600V,70A,4.3 歐姆,15V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):- 封裝/外殼:TO-264-3,TO-264AA 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-264 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT70GR120JD60 功能描述:IGBT Module NPT Single 1200V 112A 543W Chassis Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):112A 功率 - 最大值:543W 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):3.2V @ 15V,70A 電流 - 集電極截止(最大值):1.1mA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容(Cies):7.26nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4 供應(yīng)商器件封裝:SOT-227 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT70GR120J 功能描述:IGBT Module NPT Single 1200V 112A 543W Chassis Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):112A 功率 - 最大值:543W 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):3.2V @ 15V,70A 電流 - 集電極截止(最大值):1mA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容(Cies):7.26nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4 供應(yīng)商器件封裝:SOT-227 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT70GR120B2 功能描述:IGBT NPT 1200V 160A 961W Through Hole TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):160A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):280A 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):3.2V @ 15V,70A 功率 - 最大值:961W 開關(guān)能量:3.82mJ(開),2.58mJ(關(guān)) 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:544nC 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:33ns/278ns 測(cè)試條件:600V,70A,4.3 歐姆,15V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT75DQ60BG APT75F50B2 APT75F50L APT75GN120B2G APT75GN120J APT75GN120JDQ3 APT75GN120JDQ3G APT75GN120LG APT75GN60B2DQ3G APT75GN60BG APT75GN60LDQ3G APT75GP120B2G APT75GP120J APT75GP120JDQ3 APT75GT120JRDQ3 APT75GT120JU2 APT75GT120JU3 APT75M50B2
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