您好,歡迎來到買賣IC網(wǎng) 登錄 | 免費注冊
您現(xiàn)在的位置:買賣IC網(wǎng) > A字母型號搜索 > A字母第2560頁 >

APTC90AM60SCTG

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • APTC90AM60SCTG
    APTC90AM60SCTG

    APTC90AM60SCTG

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • MICROSEMI

  • MODULE

  • 最新批號

  • -
  • 一級代理.原裝特價現(xiàn)貨!

  • 1/1頁 40條/頁 共2條 
  • 1
APTC90AM60SCTG PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準(zhǔn)
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • POWER MODULE - SIC - Bulk
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • SILICON CARBIDE/SILICON HYBRID MODULES
APTC90AM60SCTG 技術(shù)參數(shù)
  • APTC90AM602G 功能描述:MOSFET 2N-CH 900V 59A SP2 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:托盤 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:2 個 N 通道(半橋) FET 功能:超級結(jié) 漏源電壓(Vdss):900V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):59A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):60 毫歐 @ 52A、 10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 6mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):540nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):13600pF @ 100V 功率 - 最大值:462W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP2 供應(yīng)商器件封裝:SP2 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTC80TDU15PG 功能描述:MOSFET 6N-CH 800V 28A SP6-P 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:6 N-溝道(3 相橋) FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):800V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):28A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):150 毫歐 @ 14A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 2mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):180nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4507pF @ 25V 功率 - 最大值:277W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6-P 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTC80TA15PG 功能描述:MOSFET 6N-CH 800V 28A SP6P 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:6 N-溝道(3 相橋) FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):800V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):28A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):150 毫歐 @ 14A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 2mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):180nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4507pF @ 25V 功率 - 最大值:277W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6-P 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTC80SK15T1G 功能描述:MOSFET N-CH 800V 28A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):800V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):28A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):150 毫歐 @ 14A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 2mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):180nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4507pF @ 25V 功率 - 最大值:277W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應(yīng)商器件封裝:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTC80H29T3G 功能描述:MOSFET 4N-CH 800V 15A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:4 個 N 通道(H 橋) FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):800V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):15A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):290 毫歐 @ 7.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):90nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2254pF @ 25V 功率 - 最大值:156W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應(yīng)商器件封裝:SP3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTC90SKM60CT1G APTC90SKM60T1G APTC90TAM60TPG APTCFGP1VTR APTCFGP2VTR APTCFP1VTR APTCFP2VTR APTCLGTVTR APTCLGVTR APTCLVTR APTCV40H60CT1G APTCV50H60T3G APTCV60HM45BC20T3G APTCV60HM45BT3G APTCV60HM45RCT3G APTCV60HM45RT3G APTCV60HM70BT3G APTCV60HM70RT3G
配單專家

在采購APTC90AM60SCTG進貨過程中,您使用搜索有什么問題和建議?點此反饋

友情提醒:為規(guī)避購買APTC90AM60SCTG產(chǎn)品風(fēng)險,建議您在購買APTC90AM60SCTG相關(guān)產(chǎn)品前務(wù)必確認供應(yīng)商資質(zhì)及產(chǎn)品質(zhì)量。

免責(zé)聲明:以上所展示的APTC90AM60SCTG信息由會員自行提供,APTC90AM60SCTG內(nèi)容的真實性、準(zhǔn)確性和合法性由發(fā)布會員負責(zé)。買賣IC網(wǎng)不承擔(dān)任何責(zé)任。

買賣IC網(wǎng) (beike2008.cn) 版權(quán)所有?2006-2019
深圳市碩贏互動信息技術(shù)有限公司 | 粵公網(wǎng)安備 44030402000118號 | 粵ICP備14064281號