您好,歡迎來到買賣IC網(wǎng) 登錄 | 免費注冊
您現(xiàn)在的位置:買賣IC網(wǎng) > A字母型號搜索 > A字母第2569頁 >

APTM120DA56T1G

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • 1/1頁 40條/頁 共7條 
  • 1
APTM120DA56T1G PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 1200V 18A SP1
  • RoHS
  • 類別
  • 半導(dǎo)體模塊 >> FET
  • 系列
  • -
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 10
  • 系列
  • *
APTM120DA56T1G 技術(shù)參數(shù)
  • APTM120DA30T1G 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 31A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):1200V(1.2kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):31A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):360 毫歐 @ 25A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):560nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):14560pF @ 25V 功率 - 最大值:657W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應(yīng)商器件封裝:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM120DA30CT1G 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 31A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):1200V(1.2kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):31A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):360 毫歐 @ 25A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):560nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):14560pF @ 25V 功率 - 最大值:657W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應(yīng)商器件封裝:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM120DA29TG 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 34A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):1200V(1.2kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):34A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):348 毫歐 @ 17A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):374nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):10300pF @ 25V 功率 - 最大值:780W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP4 供應(yīng)商器件封裝:SP4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM120DA15G 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 60A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):1200V(1.2kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):60A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):175 毫歐 @ 30A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 10mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):748nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):20600pF @ 25V 功率 - 最大值:1250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM120A80FT1G 功能描述:MOSFET 2N-CH 1200V 14A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個 N 通道(半橋) FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):1200V(1.2kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):14A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):960 毫歐 @ 12A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):260nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):6696pF @ 25V 功率 - 最大值:357W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應(yīng)商器件封裝:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM120SK15G APTM120SK29TG APTM120SK56T1G APTM120SK68T1G APTM120TA57FPG APTM120TDU57PG APTM120U10DAG APTM120U10SAG APTM120U10SCAVG APTM120UM70DAG APTM120UM70FAG APTM120UM95FAG APTM20AM04FG APTM20AM05FG APTM20AM05FTG APTM20AM06SG APTM20AM08FTG APTM20AM10FTG
配單專家

在采購APTM120DA56T1G進貨過程中,您使用搜索有什么問題和建議?點此反饋

友情提醒:為規(guī)避購買APTM120DA56T1G產(chǎn)品風(fēng)險,建議您在購買APTM120DA56T1G相關(guān)產(chǎn)品前務(wù)必確認供應(yīng)商資質(zhì)及產(chǎn)品質(zhì)量。

免責(zé)聲明:以上所展示的APTM120DA56T1G信息由會員自行提供,APTM120DA56T1G內(nèi)容的真實性、準(zhǔn)確性和合法性由發(fā)布會員負責(zé)。買賣IC網(wǎng)不承擔(dān)任何責(zé)任。

買賣IC網(wǎng) (beike2008.cn) 版權(quán)所有?2006-2019
深圳市碩贏互動信息技術(shù)有限公司 | 粵公網(wǎng)安備 44030402000118號 | 粵ICP備14064281號