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APTM10HM09FTG

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APTM10HM09FTG PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET MODULE FULL BRIDGE SP4
  • RoHS
  • 類別
  • 半導(dǎo)體模塊 >> FET
  • 系列
  • -
  • 標準包裝
  • 10
  • 系列
  • *
APTM10HM09FTG 技術(shù)參數(shù)
  • APTM10HM09FT3G 功能描述:MOSFET 4N-CH 100V 139A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:4 個 N 通道(H 橋) FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):139A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):10 毫歐 @ 69.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):350nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):9875pF @ 25V 功率 - 最大值:390W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應(yīng)商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTM10HM05FG 功能描述:MOSFET 4N-CH 100V 278A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:4 個 N 通道(H 橋) FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):278A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):5 毫歐 @ 125A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):700nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):20000pF @ 25V 功率 - 最大值:780W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTM10DUM05TG 功能描述:MOSFET 2N-CH 100V 278A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):278A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):5 毫歐 @ 125A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):700nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):20000pF @ 25V 功率 - 最大值:780W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP4 供應(yīng)商器件封裝:SP4 標準包裝:1 APTM10DUM02G 功能描述:MOSFET 2N-CH 100V 495A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):495A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.5 毫歐 @ 200A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 10mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):1360nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):40000pF @ 25V 功率 - 最大值:1250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTM10DSKM19T3G 功能描述:MOSFET 2N-CH 100V 70A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):70A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):21 毫歐 @ 35A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):200nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):5100pF @ 25V 功率 - 最大值:208W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應(yīng)商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTM120A15FG APTM120A20DG APTM120A20SG APTM120A29FTG APTM120A65FT1G APTM120A80FT1G APTM120DA15G APTM120DA29TG APTM120DA30CT1G APTM120DA30T1G APTM120DA56T1G APTM120DA68T1G APTM120DDA57T3G APTM120DSK57T3G APTM120DU15G APTM120DU29TG APTM120H140FT1G APTM120H29FG
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