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APTM120DA30T1G

配單專(zhuān)家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
  • APTM120DA30T1G
    APTM120DA30T1G

    APTM120DA30T1G

  • 深圳市思諾康科技有限公司
    深圳市思諾康科技有限公司

    聯(lián)系人:張小姐/Vivianvi

    電話:0755-83276452

    地址:坂田坂雪崗大道中興路105號(hào)儒駿大廈5樓503室

  • 9900

  • Microchip Technology

  • SP1

  • 23+

  • -
  • 微芯專(zhuān)營(yíng)優(yōu)勢(shì)產(chǎn)品

  • APTM120DA30T1G
    APTM120DA30T1G

    APTM120DA30T1G

  • 林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司
    林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司

    聯(lián)系人:岳先生 田小姐

    電話:0755-8278116013760181591

    地址:深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號(hào)南光捷佳大廈2906

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 60510

  • Microsemi Corporation

  • MOSFET N-CH 1200V 31

  • 22+

  • -
  • APTM120DA30T1G
    APTM120DA30T1G

    APTM120DA30T1G

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    聯(lián)系人:朱先生

    電話:0755-82999903

    地址:深圳市福田區(qū)中航路42號(hào)中航北苑大廈C座6C3

  • 1000

  • MICROCHIP

  • 19+

  • -
  • 瑞智芯 只有原裝

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共7條 
  • 1
APTM120DA30T1G PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 1200V 31A SP1
  • RoHS
  • 類(lèi)別
  • 半導(dǎo)體模塊 >> FET
  • 系列
  • -
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 10
  • 系列
  • *
APTM120DA30T1G 技術(shù)參數(shù)
  • APTM120DA30CT1G 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 31A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):1200V(1.2kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):31A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):360 毫歐 @ 25A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):560nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):14560pF @ 25V 功率 - 最大值:657W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應(yīng)商器件封裝:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM120DA29TG 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 34A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):1200V(1.2kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):34A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):348 毫歐 @ 17A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):374nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):10300pF @ 25V 功率 - 最大值:780W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SP4 供應(yīng)商器件封裝:SP4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM120DA15G 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 60A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):1200V(1.2kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):60A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):175 毫歐 @ 30A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 10mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):748nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):20600pF @ 25V 功率 - 最大值:1250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM120A80FT1G 功能描述:MOSFET 2N-CH 1200V 14A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:2 個(gè) N 通道(半橋) FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):1200V(1.2kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):14A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):960 毫歐 @ 12A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):260nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):6696pF @ 25V 功率 - 最大值:357W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應(yīng)商器件封裝:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM120A65FT1G 功能描述:MOSFET 2N-CH 1200V 16A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:2 個(gè) N 通道(半橋) FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):1200V(1.2kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):16A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):780 毫歐 @ 14A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):300nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):7736pF @ 25V 功率 - 最大值:390W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應(yīng)商器件封裝:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM120H57FTG APTM120SK15G APTM120SK29TG APTM120SK56T1G APTM120SK68T1G APTM120TA57FPG APTM120TDU57PG APTM120U10DAG APTM120U10SAG APTM120U10SCAVG APTM120UM70DAG APTM120UM70FAG APTM120UM95FAG APTM20AM04FG APTM20AM05FG APTM20AM05FTG APTM20AM06SG APTM20AM08FTG
配單專(zhuān)家

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