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APTM120DU29TG

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APTM120DU29TG PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET MOD DUAL COMMON SRC SP4
  • RoHS
  • 類別
  • 半導(dǎo)體模塊 >> FET
  • 系列
  • -
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 10
  • 系列
  • *
APTM120DU29TG 技術(shù)參數(shù)
  • APTM120DU15G 功能描述:MOSFET 2N-CH 1200V 60A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):1200V(1.2kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):60A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):175 毫歐 @ 30A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 10mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):748nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):20600pF @ 25V 功率 - 最大值:1250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM120DSK57T3G 功能描述:MOSFET 2N-CH 1200V 17A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):1200V(1.2kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):17A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):684 毫歐 @ 8.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):187nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):5155pF @ 25V 功率 - 最大值:390W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應(yīng)商器件封裝:SP3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM120DDA57T3G 功能描述:MOSFET 2N-CH 1200V 17A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):1200V(1.2kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):17A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):684 毫歐 @ 8.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):187nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):5155pF @ 25V 功率 - 最大值:390W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應(yīng)商器件封裝:SP3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM120DA68T1G 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 15A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):1200V(1.2kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):15A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):816 毫歐 @ 12A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):260nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):6696pF @ 25V 功率 - 最大值:357W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應(yīng)商器件封裝:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM120DA56T1G 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 18A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):1200V(1.2kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):18A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):672 毫歐 @ 14A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):300nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):7736pF @ 25V 功率 - 最大值:390W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應(yīng)商器件封裝:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM120TDU57PG APTM120U10DAG APTM120U10SAG APTM120U10SCAVG APTM120UM70DAG APTM120UM70FAG APTM120UM95FAG APTM20AM04FG APTM20AM05FG APTM20AM05FTG APTM20AM06SG APTM20AM08FTG APTM20AM10FTG APTM20AM10STG APTM20DAM04G APTM20DAM05G APTM20DAM08TG APTM20DAM10TG
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