2-42 Revision 11 Input Register Timing Characteristics Figure 2-12 Input Regi" />
參數(shù)資料
型號: A3PN030-Z2QNG68
廠商: Microsemi SoC
文件頁數(shù): 67/114頁
文件大?。?/td> 0K
描述: IC FPGA NANO 30K GATES 68-QFN
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 260
系列: ProASIC3 nano
輸入/輸出數(shù): 49
門數(shù): 30000
電源電壓: 1.425 V ~ 1.575 V
安裝類型: 表面貼裝
工作溫度: 0°C ~ 70°C
封裝/外殼: 68-VFQFN 裸露焊盤
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 68-QFN(8x8)
ProASIC3 nano DC and Switching Characteristics
2-42
Revision 11
Input Register
Timing Characteristics
Figure 2-12 Input Register Timing Diagram
50%
Preset
Clear
Out_1
CLK
Data
Enable
t
ISUE
50%
t
ISUD
t
IHD
50%
t
ICLKQ
1
0
t
IHE
t
IRECPRE
t
IREMPRE
t
IRECCLR
t
IREMCLR
t
IWCLR
t
IWPRE
t
IPRE2Q
t
ICLR2Q
t
ICKMPWH tICKMPWL
50%
Table 2-58 Input Data Register Propagation Delays
Commercial-Case Conditions: TJ = 70°C, Worst-Case VCC = 1.425 V
Parameter
Description
–2
–1 Std. Units
tICLKQ
Clock-to-Q of the Input Data Register
0.24 0.27 0.32
ns
tISUD
Data Setup Time for the Input Data Register
0.26 0.30 0.35
ns
tIHD
Data Hold Time for the Input Data Register
0.00 0.00 0.00
ns
tICLR2Q
Asynchronous Clear-to-Q of the Input Data Register
0.45 0.52 0.61
ns
tIPRE2Q
Asynchronous Preset-to-Q of the Input Data Register
0.45 0.52 0.61
ns
tIREMCLR
Asynchronous Clear Removal Time for the Input Data Register
0.00 0.00 0.00
ns
tIRECCLR
Asynchronous Clear Recovery Time for the Input Data Register
0.22 0.25 0.30
ns
tIREMPRE
Asynchronous Preset Removal Time for the Input Data Register
0.00 0.00 0.00
ns
tIRECPRE
Asynchronous Preset Recovery Time for the Input Data Register
0.22 0.25 0.30
ns
tIWCLR
Asynchronous Clear Minimum Pulse Width for the Input Data Register
0.22 0.25 0.30
ns
tIWPRE
Asynchronous Preset Minimum Pulse Width for the Input Data Register
0.22 0.25 0.30
ns
tICKMPWH
Clock Minimum Pulse Width HIGH for the Input Data Register
0.36 0.41 0.48
ns
tICKMPWL
Clock Minimum Pulse Width LOW for the Input Data Register
0.32 0.37 0.43
ns
Note: For specific junction temperature and voltage supply levels, refer to Table 2-6 on page 2-5 for derating values.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
A3PN030-ZVQ100 IC FPGA NANO 30K GATES 100-VQFP
A3PN030-ZVQG100 IC FPGA NANO 30K GATES 100-VQFP
AGL030V5-QNG68 IC FPGA 1KB FLASH 30K 68-QFN
AMM22DTKH CONN EDGECARD 44POS DIP .156 SLD
AMM22DTKD CONN EDGECARD 44POS DIP .156 SLD
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
A3PN030-Z2QNG68I 功能描述:IC FPGA NANO 30K GATES 68-QFN RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - FPGA(現(xiàn)場可編程門陣列) 系列:ProASIC3 nano 標(biāo)準(zhǔn)包裝:152 系列:IGLOO PLUS LAB/CLB數(shù):- 邏輯元件/單元數(shù):792 RAM 位總計:- 輸入/輸出數(shù):120 門數(shù):30000 電源電壓:1.14 V ~ 1.575 V 安裝類型:表面貼裝 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:289-TFBGA,CSBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:289-CSP(14x14)
A3PN030-Z2VQ100 功能描述:IC FPGA NANO 30K GATES 100-VQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - FPGA(現(xiàn)場可編程門陣列) 系列:ProASIC3 nano 標(biāo)準(zhǔn)包裝:152 系列:IGLOO PLUS LAB/CLB數(shù):- 邏輯元件/單元數(shù):792 RAM 位總計:- 輸入/輸出數(shù):120 門數(shù):30000 電源電壓:1.14 V ~ 1.575 V 安裝類型:表面貼裝 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:289-TFBGA,CSBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:289-CSP(14x14)
A3PN030-Z2VQ100I 功能描述:IC FPGA NANO 30K GATES 100-VQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - FPGA(現(xiàn)場可編程門陣列) 系列:ProASIC3 nano 標(biāo)準(zhǔn)包裝:152 系列:IGLOO PLUS LAB/CLB數(shù):- 邏輯元件/單元數(shù):792 RAM 位總計:- 輸入/輸出數(shù):120 門數(shù):30000 電源電壓:1.14 V ~ 1.575 V 安裝類型:表面貼裝 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:289-TFBGA,CSBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:289-CSP(14x14)
A3PN030-Z2VQG100 功能描述:IC FPGA NANO 30K GATES 100-VQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - FPGA(現(xiàn)場可編程門陣列) 系列:ProASIC3 nano 標(biāo)準(zhǔn)包裝:152 系列:IGLOO PLUS LAB/CLB數(shù):- 邏輯元件/單元數(shù):792 RAM 位總計:- 輸入/輸出數(shù):120 門數(shù):30000 電源電壓:1.14 V ~ 1.575 V 安裝類型:表面貼裝 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:289-TFBGA,CSBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:289-CSP(14x14)
A3PN030-Z2VQG100I 功能描述:IC FPGA NANO 30K GATES 100-VQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - FPGA(現(xiàn)場可編程門陣列) 系列:ProASIC3 nano 標(biāo)準(zhǔn)包裝:152 系列:IGLOO PLUS LAB/CLB數(shù):- 邏輯元件/單元數(shù):792 RAM 位總計:- 輸入/輸出數(shù):120 門數(shù):30000 電源電壓:1.14 V ~ 1.575 V 安裝類型:表面貼裝 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:289-TFBGA,CSBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:289-CSP(14x14)