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參數(shù)資料
| 型號： | ADN2850BCPZ250 |
| 廠商： | Analog Devices Inc |
| 文件頁數(shù)： | 23/28頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC DGTL RHEO DL 1024POS 16LFCSP |
| 產(chǎn)品變化通告： | Metal Edit Change 03/Feb/2012 |
| 標準包裝： | 1 |
| 接片： | 1024 |
| 電阻（歐姆）： | 250k |
| 電路數(shù)： | 2 |
| 溫度系數(shù)： | 標準值 35 ppm/°C |
| 存儲器類型： | 非易失 |
| 接口： | 4 線 SPI（芯片選擇） |
| 電源電壓： | 3 V ~ 5.5 V，±2.25 V ~ 2.75 V |
| 工作溫度： | -40°C ~ 85°C |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 16-VQFN 裸露焊盤，CSP |
| 供應商設備封裝： | 16-LFCSP |
| 包裝： | 托盤 |
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ADN2850
Data Sheet
Rev. E | Page 4 of 28
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Max
Unit
CURRENT MONITOR TERMINALS
Current Sink at V1
I1
0.0001
10
mA
Current Sink at V2
I2
0.0001
10
mA
DYNAMIC CHARACTERISTICS3, 7
Resistor Noise Density
eN_WB
Code= full scale
RWB = 25 k/250 k, TA = 25°C
20/64
nV/√Hz
Analog Crosstalk
CT
VBX = GND, Measured VW1 with VW2 =
1 VRMS, f = 1 kHz, Code 1 = midscale,
Code 2 = midscale,
RWB = 25 k/250 k
95/80
dB
1
Typicals represent average readings at 25°C and VDD = 5 V.
2
Resistor position nonlinearity error (R-INL) is the deviation from an ideal value measured between the maximum resistance and the minimum resistance wiper
positions. R-DNL measures the relative step change from ideal between successive tap positions. The maximum current in each code is defined by IWB = (VDD 1)/RWB.
3
Guaranteed by design and not subject to production test.
4
Common-mode leakage current is a measure of the dc leakage from any Terminal B, or Terminal W to a common-mode bias level of VDD/2.
5
EEMEM restore mode current is not continuous. Current is consumed while EEMEM locations are read and transferred to the RDAC register.
6
PDISS is calculated from (IDD × VDD) + (ISS × VSS).
7
All dynamic characteristics use VDD = +2.5 V and VSS = 2.5 V.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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