參數(shù)資料
型號(hào): ADSP-BF516BBCZ-4F4
廠商: Analog Devices Inc
文件頁(yè)數(shù): 15/68頁(yè)
文件大?。?/td> 0K
描述: IC DSP 16/32B 400MHZ 168CSPBGA
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1
系列: Blackfin®
類型: 定點(diǎn)
接口: 以太網(wǎng),I²C,PPI,RSI,SPI,SPORT,UART/USART
時(shí)鐘速率: 400MHz
非易失內(nèi)存: 閃存(4Mb)
芯片上RAM: 116kB
電壓 - 輸入/輸出: 1.8V,2.5V,3.3V
電壓 - 核心: 1.30V
工作溫度: -40°C ~ 85°C
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 168-LFBGA,CSPBGA
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 168-CSPBGA(12x12)
包裝: 托盤(pán)
Rev. B
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January 2011
ADSP-BF512/BF512F, BF514/BF514F, BF516/BF516F, BF518/BF518F
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Parameter
Test Conditions
Min
Typical
Max
Unit
VOH
High Level Output Voltage
VDDEXT/VDDMEM= 1.7 V,
IOH =–0.5 mA
1.35
V
High Level Output Voltage
VDDEXT/VDDMEM= 2.25 V,
IOH =–0.5 mA
2V
High Level Output Voltage
VDDEXT/VDDMEM= 3.0 V,
IOH =–0.5 mA
2.4
V
VOL
Low Level Output Voltage
VDDEXT/VDDMEM=
1.7/2.25/3.0 V,
IOL =2.0 mA
0.4
V
IIH
1
High Level Input Current
VDDEXT/VDDMEM=3.6 V,
VIN =3.6 V
10
μA
Low Level Input Current
VDDEXT/VDDMEM=3.6 V, VIN = 0 V
10
μA
IIHP
2
High Level Input Current JTAG VDDEXT = 3.6 V, VIN = 3.6 V
75
μA
IOZH
3
Three-State Leakage Current
VDDEXT/VDDMEM= 3.6 V,
VIN =3.6 V
10
μA
IOZHTWI
4
Three-State Leakage Current
VDDEXT =3.0 V, VIN = 5.5 V
10
μA
IOZL
Three-State Leakage Current
VDDEXT/VDDMEM= 3.6 V, VIN = 0 V
10
μA
CIN
5, 6
Input Capacitance
fIN = 1 MHz, TAMBIENT = 25°C,
VIN =2.5 V
58
pF
CINTWI
Input Capacitance
fIN = 1 MHz, TAMBIENT = 25°C,
VIN =2.5 V
15
pF
IDDDEEPSLEEP
7
VDDINT Current in Deep Sleep
Mode
VDDINT = 1.3 V, fCCLK = 0 MHz,
fSCLK =0MHz, TJ = 25°C,
ASF = 0.00
2.1
mA
IDDSLEEP
VDDINT Current in Sleep Mode
VDDINT = 1.3 V, fSCLK = 25 MHz,
TJ = 25°C
5.5
mA
IDD-IDLE
VDDINT Current in Idle
VDDINT = 1.3 V, fCCLK = 50 MHz,
fSCLK =25MHz, TJ = 25°C,
ASF = 0.41
12
mA
IDD-TYP
VDDINT Current
VDDINT = 1.3 V, fCCLK = 300 MHz,
fSCLK =25MHz, TJ = 25°C,
ASF = 1.00
77
mA
IDD-TYP
VDDINT Current
VDDINT = 1.4 V, fCCLK = 400 MHz,
fSCLK =25MHz, TJ = 25°C,
ASF = 1.00
108
mA
IDDHIBERNATE
8
Hibernate State Current
VDDEXT=VDDMEM=VDDRTC =3.30
VVDDOTP=VPPOTP=2.5 V,
TJ = 25°C, CLKIN = 0 MHz @ TJ
= 25°C
40
μA
IDDRTC
VDDRTC Current
VDDRTC = 3.3 V, TJ = 25°C
20
μA
IDDSLEEP
VDDINT Current in Sleep Mode
fCCLK = 0 MHz, fSCLK > 0 MHz
(0.20 × VDDINT × fSCLK)
mA
10
IDDDEEPSLEEP
VDDINT Current in Deep Sleep
Mode
fCCLK = 0 MHz, fSCLK = 0 MHz
mA
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