2-182 Revision 4 Table 2-107 3.3 V LVTTL / 3.3 V LVCMOS High Slew Commercial Temperature Range Condit" />
參數(shù)資料
型號: AFS090-1QNG108I
廠商: Microsemi SoC
文件頁數(shù): 110/334頁
文件大?。?/td> 0K
描述: IC FPGA 2MB FLASH 90K 108-QFN
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 348
系列: Fusion®
RAM 位總計(jì): 27648
輸入/輸出數(shù): 37
門數(shù): 90000
電源電壓: 1.425 V ~ 1.575 V
安裝類型: 表面貼裝
工作溫度: -40°C ~ 100°C
封裝/外殼: 108-WFQFN
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 108-QFN(8x8)
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Device Architecture
2-182
Revision 4
Table 2-107 3.3 V LVTTL / 3.3 V LVCMOS High Slew
Commercial Temperature Range Conditions: TJ = 70°C, Worst-Case VCC = 1.425 V,
Worst-Case VCCI = 3.0 V
Applicable to Advanced I/Os
Drive
Strength
Speed
Grade
tDOUT
tDP
tDIN
tPY
tEOUT
tZL
tZH
tLZ
tHZ
tZLS
tZHS
Units
4 mA
Std.
0.66
7.66
0.04
1.20
0.43
7.80
6.59
2.65
2.61
10.03
8.82
ns
–1
0.56
6.51
0.04
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7.51
ns
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1.98
1.95
7.49
6.59
ns
8 mA
Std.
0.66
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4.07
2.99
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7.23
6.31
ns
–1
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ns
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ns
12 mA
Std.
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ns
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Std.
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3.68
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Std.
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ns
Note: For the derating values at specific junction temperature and voltage supply levels, refer to Table 3-7 on
Table 2-108 3.3 V LVTTL / 3.3 V LVCMOS Low Slew
Commercial Temperature Range Conditions: TJ = 70°C, Worst-Case VCC = 1.425 V,
Worst-Case VCCI = 3.0 V
Applicable to Standard I/Os
Drive
Strength
Speed
Grade
tDOUT
tDP
tDIN
tPY
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tZH
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Units
2 mA
Std.
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1.76
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–2
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0.32
7.20
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1.52
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Std.
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9.64
8.54
2.07
2.04
ns
–1
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8.05
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1.76
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–2
0.49
7.07
0.03
0.75
0.32
7.20
6.38
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0.56
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Note: For the derating values at specific junction temperature and voltage supply levels, refer to Table 3-7 on
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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AFS090-1QNG180I 功能描述:IC FPGA 2MB FLASH 90K 180-QFN RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - FPGA(現(xiàn)場可編程門陣列) 系列:Fusion® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:90 系列:ProASIC3 LAB/CLB數(shù):- 邏輯元件/單元數(shù):- RAM 位總計(jì):36864 輸入/輸出數(shù):157 門數(shù):250000 電源電壓:1.425 V ~ 1.575 V 安裝類型:表面貼裝 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-FPBGA(17x17)
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