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參數(shù)資料
| 型號： | AGL1000V2-FG144I |
| 廠商： | Microsemi SoC |
| 文件頁數(shù)： | 242/250頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC FPGA 1KB FLASH 1M 144FBGA |
| 標準包裝： | 160 |
| 系列： | IGLOO |
| 邏輯元件/單元數(shù)： | 24576 |
| RAM 位總計： | 147456 |
| 輸入/輸出數(shù)： | 97 |
| 門數(shù)： | 1000000 |
| 電源電壓： | 1.14 V ~ 1.575 V |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 工作溫度： | -40°C ~ 85°C |
| 封裝/外殼： | 144-LBGA |
| 供應商設備封裝： | 144-FPBGA（13x13） |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁第129頁第130頁第131頁第132頁第133頁第134頁第135頁第136頁第137頁第138頁第139頁第140頁第141頁第142頁第143頁第144頁第145頁第146頁第147頁第148頁第149頁第150頁第151頁第152頁第153頁第154頁第155頁第156頁第157頁第158頁第159頁第160頁第161頁第162頁第163頁第164頁第165頁第166頁第167頁第168頁第169頁第170頁第171頁第172頁第173頁第174頁第175頁第176頁第177頁第178頁第179頁第180頁第181頁第182頁第183頁第184頁第185頁第186頁第187頁第188頁第189頁第190頁第191頁第192頁第193頁第194頁第195頁第196頁第197頁第198頁第199頁第200頁第201頁第202頁第203頁第204頁第205頁第206頁第207頁第208頁第209頁第210頁第211頁第212頁第213頁第214頁第215頁第216頁第217頁第218頁第219頁第220頁第221頁第222頁第223頁第224頁第225頁第226頁第227頁第228頁第229頁第230頁第231頁第232頁第233頁第234頁第235頁第236頁第237頁第238頁第239頁第240頁第241頁當前第242頁第243頁第244頁第245頁第246頁第247頁第248頁第249頁第250頁
IGLOO Low Power Flash FPGAs
Revision 23
2-75
Timing Characteristics
1.2 V DC Core Voltage
Figure 2-11 AC Loading
Table 2-130 AC Waveforms, Measuring Points, and Capacitive Loads
Input Low (V)
Input High (V)
CLOAD (pF)
01.2
0.6
5
Note: *Measuring point = Vtrip. See Table 2-29 on page 2-28 for a complete table of trip points.
Test Point
Enable Path
Datapath
5 pF
R = 1 k
R to VCCI for tLZ / tZL / tZLS
R to GND for tHZ / tZH / tZHS
5 pF for tZH / tZHS / tZL / tZLS
5 pF for tHZ / tLZ
Table 2-131 1.2 V LVCMOS Low Slew
Commercial-Case Conditions: TJ = 70°C, Worst-Case VCC = 1.14 V, Worst-Case VCCI = 1.4 V
Applicable to Advanced I/O Banks
Drive Strength Speed Grade tDOUT tDP
tDIN tPY tEOUT
tZL
tZH
tLZ
tHZ
tZLS
tZHS Units
2 mA
Std.
1.55
8.37 0.26 1.60 1.10
8.04
7.17 3.94 3.52 13.82 12.95
ns
Note: For specific junction temperature and voltage supply levels, refer to Table 2-6 on page 2-7 for derating values.
Table 2-132 1.2 V LVCMOS High Slew
Commercial-Case Conditions: TJ = 70°C, Worst-Case VCC = 1.14 V, Worst-Case VCCI = 1.14 V
Applicable to Advanced I/O Banks
Drive Strength Speed Grade tDOUT tDP tDIN tPY tEOUT tZL
tZH
tLZ
tHZ
tZLS
tZHS Units
2 mA
Std.
1.55
3.60 0.26 1.60
1.10
3.47 3.36 3.93 3.65
9.26
9.14
ns
Notes:
1. Software default selection highlighted in gray.
2. For specific junction temperature and voltage supply levels, refer to Table 2-6 on page 2-7 for derating values.
Table 2-133 1.2 V LVCMOS High Slew
Commercial-Case Conditions: TJ = 70°C, Worst-Case VCC = 1.14 V, Worst-Case VCCI = 1.14 V
Applicable to Standard Plus I/O Banks
Drive Strength Speed Grade tDOUT tDP
tDIN tPY tEOUT
tZL
tZH
tLZ
tHZ
tZLS
tZHS Units
2 mA
Std.
1.55
7.59 0.26 1.59 1.10
7.29
6.54 3.30 3.35 13.08 12.33
ns
Note: For specific junction temperature and voltage supply levels, refer to Table 2-6 on page 2-7 for derating values.
Table 2-134 1.2 V LVCMOS High Slew
Commercial-Case Conditions: TJ = 70°C, Worst-Case VCC = 1.14 V, Worst-Case VCCI = 1.14 V
Applicable to Standard Plus I/O Banks
Drive Strength
Speed Grade tDOUT tDP tDIN tPY tEOUT tZL
tZH
tLZ
tHZ tZLS tZHS
Units
2 mA
Std.
1.55
3.22 0.26 1.59
1.10
3.11 2.78 3.29 3.48 8.90
8.57
ns
Notes:
1. Software default selection highlighted in gray.
2. For specific junction temperature and voltage supply levels, refer to Table 2-6 on page 2-7 for derating values.
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