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參數(shù)資料
| 型號： | AGR21180EU |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封裝： | SURFACE MOUNT PACKAGE-4 |
| 文件頁數(shù)： | 11/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 603K |
| 代理商： | AGR21180EU |
Agere Systems Inc.
9
Preliminary Data Sheet
AGR21180E
November 2003
180 W, 2.110 GHz—2.170 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET
Typical Performance Characteristics (continued)
Figure 12. Spectral Plot
20
10
0
-10
-20
-30
-40
-50
-60
-70
-80
Carrier 2.1625 GHz
5 MHz
Span 50 MHz
2 CARRIER W-CDMA 3GPP, P/A = 8.5 dB @ 0.01% CCDF
10 MHz SPACING, 3.84 MHz CBW, POUT = 38 W,
VDD = 28 V, IDQ = 1600 mA
F1
F2
IMD3
ACPR
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AGRA10EU | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| AGRA10EU | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| AP4532GM | 5 A, 30 V, 0.05 ohm, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APM2023NUC-TRG | 7 A, 20 V, 0.023 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
| APM2023NUC-TRL | 7 A, 20 V, 0.023 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AGR21N090EF | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| AGR26045EF | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| AGR26125E | 制造商:TRIQUINT 制造商全稱:TriQuint Semiconductor 功能描述:125 W, 2.5 GHz-2.7 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET |
| AGR26125EF | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| AGR26125EU | 制造商:TRIQUINT 制造商全稱:TriQuint Semiconductor 功能描述:125 W, 2.5 GHz-2.7 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET |
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