參數(shù)資料
型號： AGR21180EU
元件分類： 功率晶體管
英文描述： S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： SURFACE MOUNT PACKAGE-4
文件頁數(shù)： 8/11頁
文件大?。?/td> 603K
代理商： AGR21180EU
6
Agere Systems Inc.
180 W, 2.110 GHz—2.170 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET
November 2003
AGR21180E
Preliminary Data Sheet
Typical Performance Characteristics (continued)
Test Conditions:
28 VDS, IDQ = 1600 mA, 2140 MHz.
Figure 6. Power Gain and Drain Efficiency vs. Output Power (CW signal data)
Test Conditions:
28 VDS, IDQ = 1600 mA.
F1 = 2135 MHz and F2 = 2145 MHz.
Figure 7. IM3, IM5, and IM7 vs. Output Power (2 CW signal data)
9
10
11
12
13
14
15
1
10
100
1000
POUT (W)
G
PS
(d
B
)
0
10
20
30
40
50
60
η
(%)
GPS
η
-100
-90
-80
-70
-60
-50
-40
-30
-20
-10
0
1
10
100
1000
POUT (W, PEP)
IM3,
IM5,
AND
IM7
(
d
Bc
)Z
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
η
(%)
IM5
η
IM7
IM3
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AGRA10EU UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
AGRA10EU UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
AP4532GM 5 A, 30 V, 0.05 ohm, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APM2023NUC-TRG 7 A, 20 V, 0.023 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
APM2023NUC-TRL 7 A, 20 V, 0.023 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
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參數(shù)描述
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AGR26125E 制造商:TRIQUINT 制造商全稱:TriQuint Semiconductor 功能描述:125 W, 2.5 GHz-2.7 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET
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AGR26125EU 制造商:TRIQUINT 制造商全稱:TriQuint Semiconductor 功能描述:125 W, 2.5 GHz-2.7 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET
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