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參數(shù)資料
| 型號： | Am29F016B-70FIB |
| 廠商： | Advanced Micro Devices, Inc. |
| 英文描述： | CAP 82PF 100V 2% NP0(C0G) SMD-0603 TR-7 PLATED-NI/SN |
| 中文描述： | 16兆位（2米× 8位）的CMOS 5.0伏只，統(tǒng)一部門快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 31/38頁 |
| 文件大?。?/td> | 477K |
| 代理商： | AM29F016B-70FIB |
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Am29F016B
31
P R E L I M I N A R Y
AC CHARACTERISTICS
Temporary Sector Unprotect
Note:
Not 100% tested.
Parameter
All Speed Options
JEDEC
Std.
Description
Unit
t
VIDR
V
ID
Rise and Fall Time (See Note)
Min
500
ns
t
RSP
RESET# Setup Time for Temporary Sector
Unprotect
Min
4
μs
Enter
Erase
Erase
Resume
Erase
Enter Erase
Suspend Program
Erase Suspend
Read
Erase Suspend
Read
Erase
Suspend
Program
WE#
DQ6
DQ2
Erase
Complete
Erase
Suspend
Embedded
Erasing
Note:
The system may use OE# or CE# to toggle DQ2 and DQ6. DQ2 toggles only when read at an address within the
erase-suspended sector.
21444B-22
Figure 15.
DQ2 vs. DQ6
RESET#
t
VIDR
12 V
0 or 5 V
CE#
WE#
RY/BY#
t
VIDR
t
RSP
Program or Erase Command Sequence
0 or 5 V
21444B-23
Figure 16.
Temporary Sector Group Unprotect Timings
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PDF描述 |
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