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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | Am29F016B-70FIB |
| 廠商： | Advanced Micro Devices, Inc. |
| 英文描述： | CAP 82PF 100V 2% NP0(C0G) SMD-0603 TR-7 PLATED-NI/SN |
| 中文描述： | 16兆位（2米× 8位）的CMOS 5.0伏只，統(tǒng)一部門快閃記憶體 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 33/38頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 477K |
| 代理商： | AM29F016B-70FIB |
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Am29F016B
33
P R E L I M I N A R Y
AC CHARACTERISTICS
t
GHEL
t
WS
OE#
CE#
WE#
RESET#
t
DS
Data
t
AH
Addresses
t
DH
t
CP
DQ7#
D
OUT
t
WC
t
AS
t
CPH
PA
Data# Polling
A0 for program
55 for erase
t
RH
t
WHWH1 or 2
RY/BY#
t
WH
PD for program
30 for sector erase
10 for chip erase
555 for program
2AA for erase
PA for program
SA for sector erase
555 for chip erase
t
BUSY
Notes:
1. PA = Program Address, PD = Program Data, SA = Sector Address, DQ7# = Complement of Data Input, D
OUT
= Array Data.
2. Figure indicates the last two bus cycles of the command sequence.
21444B-24
Figure 17.
Alternate CE# Controlled Write Operation Timings
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