參數(shù)資料
型號(hào)： Am29LV400B-90RWACB
廠商： Advanced Micro Devices, Inc.
英文描述： 4 Megabit (512 K x 8-Bit/256 K x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory
中文描述： 4兆位（512畝x 8-Bit/256畝x 16位），3.0伏的CMOS只引導(dǎo)扇區(qū)閃存
文件頁(yè)數(shù)： 8/40頁(yè)
文件大?。?/td> 516K
代理商： AM29LV400B-90RWACB
Am29LV400
16
PREL I M I N AR Y
Notes:
1. See Table 5 for erase command sequence.
2. See “DQ3: Sector Erase Timer” for more information.
Figure 3.
Erase Operation
START
Write Erase
Command Sequence
Data Poll
from System
Data = FFh?
No
Yes
Erasure Completed
Embedded
Erase
algorithm
in progress
20514C-7
相關(guān)PDF資料
PDF描述
Am29LV400B-90RWAE 4 Megabit (512 K x 8-Bit/256 K x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory
Am29LV400B-90RWAEB CAP 0.47UF 50V +50-20% X7R SMD-0612 TR-7 PLATED-NI/SN HC-FEEDTHRU
Am29LV400BB70RWACB Ceramic Multilayer Capacitor; Capacitance:470pF; Capacitance Tolerance:+50, -20 %; Working Voltage, DC:50V; Dielectric Characteristic:X7R; Package/Case:1206; Series:W3F; Leaded Process Compatible:Yes
Am29LV400BB70RWAE 4 Megabit (512 K x 8-Bit/256 K x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory
Am29LV400BB70RWAEB 4 Megabit (512 K x 8-Bit/256 K x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
AM29LV400BB-120EC 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 3V/3.3V 4M-Bit 512K x 8/256K x 16 120ns 48-Pin TSOP
AM29LV400BB-120EI 制造商:Spansion 功能描述:NOR Flash Parallel 3V/3.3V 4Mbit 512K/256K x 8bit/16bit 120ns 48-Pin TSOP
AM29LV400BB-120SC 制造商:Spansion 功能描述:NOR Flash Parallel 3V/3.3V 4Mbit 512K/256K x 8bit/16bit 120ns 44-Pin SOP
AM29LV400BB-120WAI 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 3V/3.3V 4M-Bit 512K x 8/256K x 16 120ns 48-Pin FBGA
AM29LV400BB-55RWAI 制造商:Spansion 功能描述:SPZAM29LV400BB-55RWAI 4M FLASH EOL150606
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