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參數(shù)資料
| 型號： | AM29SL160CB-100EDN |
| 廠商： | Advanced Micro Devices, Inc. |
| 英文描述： | 16 Megabit CMOS 1.8 Volt-only Super Low Voltage Flash Memory |
| 中文描述： | 16兆位的CMOS 1.8伏只超低電壓快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 44/52頁 |
| 文件大?。?/td> | 1232K |
| 代理商： | AM29SL160CB-100EDN |
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44
Am29SL160C
November 1, 2004
AC CHARACTERISTICS
Enter
Embedded
Erasing
Temporary Sector Unprotect
Parameter
All Speed Options
JEDEC
Std
Description
Unit
t
VIDR
V
ID
Rise and Fall Time
Min
500
ns
t
VHH
V
HH
Rise and Fall Time
Min
500
ns
t
RSP
RESET# Setup Time for Temporary Sector
Unprotect
Min
4
μs
Note:
The system may use CE# or OE# to toggle DQ2 and DQ6. DQ2 toggles only when read at an address within an
erase-suspended sector.
Figure 21.
DQ2 vs. DQ6
Erase
Erase
Resume
Erase
Enter Erase
Suspend Program
Erase Suspend
Read
Erase Suspend
Read
Erase
Suspend
Program
WE#
DQ6
DQ2
Erase
Complete
Erase
Suspend
RESET#
t
VIDR
V
ID
0 or 1.8 V
CE#
WE#
RY/BY#
t
VIDR
t
RSP
Program or Erase Command Sequence
0 or 1.8 V
Figure 22.
Temporary Sector Unprotect Timing Diagram
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AM29SL160CB-100EEN | 16 Megabit CMOS 1.8 Volt-only Super Low Voltage Flash Memory |
| AM29SL160CB-100EFN | 16 Megabit CMOS 1.8 Volt-only Super Low Voltage Flash Memory |
| AM29SL160CB-100EIN | 16 Megabit CMOS 1.8 Volt-only Super Low Voltage Flash Memory |
| AM29SL160CB-100WCCN | 16 Megabit CMOS 1.8 Volt-only Super Low Voltage Flash Memory |
| AM29SL160CB-100WCDN | 16 Megabit CMOS 1.8 Volt-only Super Low Voltage Flash Memory |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AM29SL160CT-100EIN | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述: |
| AM29SL800DB120WCI | 制造商:Spansion 功能描述:FLASH PARALLEL 1.8V 8MBIT 1MX8/512KX16 120NS 48FBGA - Trays |
| AM29SL800DB90WAD | 制造商:Spansion 功能描述: |
| AM29X305ADC | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述:Microprocessor, 8 Bit, 50 Pin, Ceramic, DIP |
| AM2A016 | 制造商:MAG-LITE 功能描述:Bulk |
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