參數(shù)資料
型號(hào)： AO4609
廠商： Electronic Theatre Controls, Inc.
英文描述： Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 增強(qiáng)模式互補(bǔ)場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 1/12頁(yè)
文件大小： 690K
代理商： AO4609
Symbol
V
DS
V
GS
Max p-channel
-30
±12
Units
V
V
I
DM
T
J
, T
STG
°C
Symbol
Device
n-ch
n-ch
n-ch
p-ch
p-ch
p-ch
Typ
48
74
35
56
81
40
Max
62.5
110
40
62.5
110
48
Units
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
R
θ
JL
R
θ
JL
Absolute Maximum Ratings T
A
=25°C unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Max n-channel
30
Gate-Source Voltage
Continuous Drain
Current
A
±20
8.5
6.6
40
2
1.28
I
D
-3
-2.4
-6
2
1.28
A
T
A
=70°C
Pulsed Drain Current
B
T
A
=25°C
Power Dissipation
Junction and Storage Temperature Range
T
A
=25°C
T
A
=70°C
P
D
W
-55 to 150
-55 to 150
Thermal Characteristics: n-channel and p-channel
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Lead
C
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Lead
C
t
≤
10s
Steady-State
Steady-State
t
≤
10s
Steady-State
Steady-State
R
θ
JA
R
θ
JA
AO4609
Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
July 2003
Features
n-channel p-channel
V
DS
(V) = 30V -30V
I
D
= 8.5A -3A
R
DS(ON)
R
DS(ON)
< 18m
(V
GS
=10V) < 130m
(V
GS
= 10V)
< 28m
(V
GS
=4.5V) < 180m
(V
GS
= 4.5V)
< 260m
(V
GS
= 2.5V)
General Description
The AO4609 uses advanced trench
technology MOSFETs to provide
excellent R
DS(ON)
and low gate charge.
The complementary MOSFETs may be
used to form a level shifted high side
switch, and for a host of other
applications.
G1
S1
G2
S2
D1
D1
D2
D2
1
2
3
4
8
7
6
5
SOIC-8
G2
D2
S2
G1
D1
S1
n-channel
p-channel
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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AO8701L P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode
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