參數(shù)資料
型號(hào): APT100GN120B2
廠(chǎng)商: MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類(lèi): IGBT 晶體管
英文描述: 245 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
文件頁(yè)數(shù): 3/6頁(yè)
文件大?。?/td> 128K
代理商: APT100GN120B2
050-7626
Re
v
A
12-2007
APT100GN120B2
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
V
GS(TH)
,
THRESHOLD
V
O
LT
A
GE
V
CE
,COLLECT
OR-T
O-EMITTER
V
O
LT
A
GE
(V)
I C
,COLLECT
OR
CURRENT
(A)
I C
,COLLECT
OR
CURRENT
(A)
(NORMALIZED)
I
C,
DC
COLLECT
OR
CURRENT(A)
V
CE
,COLLECT
OR-T
O-EMITTER
V
O
LT
A
GE
(V)
V
GE
,GA
TE-T
O-EMITTER
V
O
LT
A
GE
(V)
I C
,COLLECT
OR
CURRENT
(A)
250s PULSE
TEST<0.5 % DUTY
CYCLE
300
250
200
150
100
50
0
300
250
200
150
100
50
0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
0.80
0.75
0.70
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
0
5
10
15
20
25
30
0
2
4
6
8
10
12
14
0
100
200
300
400
500
600
8
10
12
14
16
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
300
250
200
150
100
50
0
16
14
12
10
8
6
4
2
0
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
350
300
250
200
150
100
50
0
V
CE
, COLLECTOR-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
V
CE
, COLLECTOR-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
FIGURE 1, Output Characteristics(T
J
= 25°C)
FIGURE 2, Output Characteristics (T
J
= 125°C)
V
GE
, GATE-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
GATE CHARGE (nC)
FIGURE 3, Transfer Characteristics
FIGURE 4, Gate Charge
V
GE
, GATE-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
T
J
, Junction Temperature (°C)
FIGURE 5, On State Voltage vs Gate-to- Emitter Voltage
FIGURE 6, On State Voltage vs Junction Temperature
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
T
C
, CASE TEMPERATURE (°C)
FIGURE 7, Threshold Voltage vs. Junction Temperature
FIGURE 8, DC Collector Current vs Case Temperature
15V
9V
8V
7V
11V
T
J = 125°C
T
J = 25°C
T
J = -55°C
V
GE = 15V.
250s PULSE TEST
<0.5 % DUTY CYCLE
T
J = 125°C
T
J = 25°C
T
J = -55°C
T
J = 175°C
V
GE
= 15V
10V
V
CE
= 600V
V
CE
= 240V
I
C
= 100A
T
J
= 25°C
V
CE
= 960V
T
J = 25°C.
250s PULSE TEST
<0.5 % DUTY CYCLE
I
C
= 200A
I
C
= 100A
I
C
= 50A
I
C
= 200A
I
C
= 100A
I
C
= 50A
12V
13V
T
J = 150°C
Lead Temperature
Limited
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT10M11JVRU2 142 A, 100 V, 0.011 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT12067B2LL 18 A, 1200 V, 0.67 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT12067LLL 18 A, 1200 V, 0.67 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA
APT15GP60BDL 56 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
APT20M11JVR 175 A, 200 V, 0.011 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APT100GN120B2G 功能描述:IGBT 1200V 245A 960W TMAX RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce(開(kāi)):3V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
APT100GN120J 功能描述:IGBT 1200V 153A 446W SOT227 RoHS:是 類(lèi)別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce(開(kāi)):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APT100GN120JDQ4 功能描述:IGBT 1200V 153A 446W SOT227 RoHS:是 類(lèi)別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce(開(kāi)):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APT100GN60B2 制造商:ADPOW 制造商全稱(chēng):Advanced Power Technology 功能描述:IGBT
APT100GN60B2G 功能描述:IGBT 600V 229A 625W TMAX RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce(開(kāi)):3V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件