參數(shù)資料
型號(hào)： APT100GN120B2
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類(lèi)： IGBT 晶體管
英文描述： 245 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
文件頁(yè)數(shù)： 6/6頁(yè)
文件大小： 128K
代理商： APT100GN120B2
050-7626
Re
v
A
12-2007
APT100GN120B2
IC
A
D.U.T.
VCE
Figure 21, Inductive Switching Test Circuit
VCC
Figure 22, Turn-on Switching Waveforms and Denitions
Figure 23, Turn-off Switching Waveforms and Denitions
T
J
= 125°C
Collector Current
Collector Voltage
Gate Voltage
Switching Energy
5%
10%
t
d(on)
90%
10%
t
r
5%
T
J
= 125°C
Collector Voltage
Collector Current
Gate Voltage
Switching Energy
0
90%
t
d(off)
10%
t
f
90%
APT100DQ120
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
4.50 (.177) Max.
19.81 (.780)
20.32 (.800)
20.80 (.819)
21.46 (.845)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
1.01 (.040)
1.40 (.055)
5.45 (.215) BSC
2.87 (.113)
3.12 (.123)
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
2.21 (.087)
2.59 (.102)
0.40 (.016)
0.79 (.031)
Dimensions in Millimeters and (Inches)
2-Plcs.
Collector
Emitter
Gate
Collector
e1 SAC: Tin, Silver, Copper
T-MAX (B2) Package Outline
Microsemi’s products are covered by one or more of U.S.patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522 5,262,336 6,503,786
5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. US and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
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PDF描述
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APT12067LLL 18 A, 1200 V, 0.67 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA
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參數(shù)描述
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APT100GN120J 功能描述:IGBT 1200V 153A 446W SOT227 RoHS:是 類(lèi)別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APT100GN120JDQ4 功能描述:IGBT 1200V 153A 446W SOT227 RoHS:是 類(lèi)別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APT100GN60B2 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:IGBT
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