型號: | APT26M100JCU3 |
廠商: | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
元件分類: | JFETs |
英文描述: | 26 A, 1000 V, 0.396 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
封裝: | ROHS COMPLIANT, ISOTOP-4 |
文件頁數(shù): | 2/5頁 |
文件大?。?/td> | 109K |
代理商: | APT26M100JCU3 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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APT26RF40BN | 26 A, 400 V, 0.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
APT3010BNR-GULLWING | 35 A, 300 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
APT30M85BNR-GULLWING | 40 A, 300 V, 0.085 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
APT3010BNR-BUTT | 35 A, 300 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
APT30M85BNR-BUTT | 40 A, 300 V, 0.085 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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APT27 | 制造商:BCDSEMI 制造商全稱:BCD Semiconductor Manufacturing Limited 功能描述:HIGH VOLTAGE NPN TRANSISTOR |
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APT27GA90K | 功能描述:IGBT 900V 48A 223W TO-220 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:POWER MOS 8™ 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):1200V Vge, Ic時的最大Vce(開):3V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
APT27GA90SD15 | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:High Speed PT IGBT |
APT27H | 制造商:BCDSEMI 制造商全稱:BCD Semiconductor Manufacturing Limited 功能描述:HIGH VOLTAGE NPN TRANSISTOR |