參數(shù)資料
型號： APT26M100JCU3
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： JFETs
英文描述： 26 A, 1000 V, 0.396 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, ISOTOP-4
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大?。?/td> 109K
代理商： APT26M100JCU3
APT26M100JCU3
APT
26M
100JCU3
–
Rev
0
September
,2009
www.microsemi.com
4- 5
Low Voltage Output Characteristics
TJ=25°C
TJ=125°C
0
10
20
30
40
50
60
0
5
10
15
20
VDS, Drain to Source Voltage (V)
I D
,Drai
n
Cu
rren
t(A)
VGS=10V
Low Voltage Output Characteristics
4.5V
5V
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0
5
10
15
20
25
30
VDS, Drain to Source Voltage (V)
I D
,Drai
n
Cu
rren
t(A)
TJ=125°C
VGS=6, 7, 8 &9V
Normalized RDSon vs. Temperature
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
25
50
75
100
125
150
TJ, Junction Temperature (°C)
R
DS
on
,
Drai
n
to
S
o
urce
ON
re
si
stan
ce
VGS=10V
ID=18A
Transfert Characteristics
TJ=25°C
TJ=125°C
0
10
20
30
40
12
3
456
VGS, Gate to Source Voltage (V)
I D
,Drain
Cu
rrent
(A)
VDS > ID(on)xRDS(on)MAX
250s pulse test @ < 0.5 duty cycle
Ciss
Crss
Coss
1
10
100
1000
10000
100000
0
50
100
150
200
VDS, Drain to Source Voltage (V)
C
,C
a
pa
c
it
a
nc
e
(
pF)
Capacitance vs Drain to Source Voltage
Gate Charge vs Gate to Source
VDS=200V
VDS=500V
VDS=800V
0
2
4
6
8
10
12
0
40
80
120 160 200 240 280 320
Gate Charge (nC)
V
GS
,G
a
te
t
o
Sour
c
e
V
o
lt
a
g
e
ID=18A
TJ=25°C
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PDF描述
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APT30M85BNR-GULLWING 40 A, 300 V, 0.085 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
APT3010BNR-BUTT 35 A, 300 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
APT30M85BNR-BUTT 40 A, 300 V, 0.085 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
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