參數(shù)資料
型號(hào)： APT30GP60JDF1
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 67 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ISOTOP-4
文件頁(yè)數(shù)： 6/9頁(yè)
文件大?。?/td> 212K
代理商： APT30GP60JDF1
050-7420
Rev
C
8-2004
APT30GP60JDF1
Figure 22, Turn-on Switching Waveforms and Definitions
10 %
5 %
10%
t
d(on)
t
r
90%
5 %
Gate Voltage
Collector Voltage
Collector Current
Switching Energy
T
J = 125 C
Figure 23, Turn-off Switching Waveforms and Definitions
T
J = 125 C
Collector Current
Collector Voltage
Gate Voltage
90%
t
f
t
d(off)
0
10%
Switching Energy
IC
A
D.U.T.
APT15DF60
VCE
Figure 21, Inductive Switching Test Circuit
VCC
*DRIVER SAME TYPE AS D.U.T.
IC
VCLAMP
100uH
VTEST
A
B
D.U.T.
DRIVER*
VCE
Figure 24, EON1 Test Circuit
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT30GT60AR 40 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-204AE
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APT30GU60JU3 67 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APT30M17JFLL 135 A, 300 V, 0.017 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT30M19JVFR 130 A, 300 V, 0.019 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
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參數(shù)描述
APT30GP60JDQ1 功能描述:IGBT 600V 67A 245W SOT227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:POWER MOS 7® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APT30GP60LDL 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Resonant Mode Combi IGBT
APT30GP60LDLG 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:IGBT 600V 100A 463W TO264 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:IGBT 600V 100A TO-264
APT30GS60BRDL 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Resonant Mode Combi IGBT
APT30GS60BRDLG 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - RESONANT MODE - COMBI - Rail/Tube 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR
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