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參數(shù)資料
| 型號： | APT30GP60JDF1 |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 67 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | ISOTOP-4 |
| 文件頁數(shù)： | 8/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 212K |
| 代理商： | APT30GP60JDF1 |
050-7420
Rev
C
8-2004
APT30GP60JDF1
TJ = 125°C
VR = 400V
7.5A
15A
30A
trr
Qrr
trr
IRRM
Q
rr
,REVERSE
RECOVERY
CHARGE
I F
,FORWARD
CURRENT
(nC)
(A
)
I RRM
,REVERSE
RECOVERY
CURRENT
t rr
,REVERSE
RECOVERY
TIME
(A
)
(ns)
TJ = -55°C
TJ = 25°C
TJ = 125°C
TJ = 150°C
Duty cycle = 0.5
TJ = 150°C
TJ = 125°C
VR = 400V
25
20
15
10
5
0
C
J,
JUNCTION
CAPACITANCE
K
f,DYNAMIC
PARAMETERS
(pF)
(Normalized
to
1000A/
s)
I F(AV)
(A)
7.5A
0
1
2
3
4
5
0
200
400
600
800
1000
1200
0
200
400
600
800
1000
1200
0
200
400
600
800
1000
1200
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
600
500
400
300
200
100
0
15A
30A
15A
7.5A
30A
TJ = 125°C
VR = 400V
140
120
100
80
60
40
20
0
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
VF,ANODE-TO-CATHODEVOLTAGE(V)
-diF/dt, CURRENT RATE OF CHANGE(A/s)
Figure 26. Forward Current vs. Forward Voltage
Figure 27. Reverse Recovery Time vs. Current Rate of Change
-diF/dt,CURRENTRATEOFCHANGE(A/s)
-diF/dt, CURRENT RATE OF CHANGE (A/s)
Figure 28. Reverse Recovery Charge vs. Current Rate of Change
Figure 29. Reverse Recovery Current vs. Current Rate of Change
TJ,JUNCTIONTEMPERATURE(°C)
Case Temperature (°C)
Figure 30. Dynamic Parameters vs. Junction Temperature
Figure 31. Maximum Average Forward Current vs. CaseTemperature
VR, REVERSE VOLTAGE (V)
Figure 32. Junction Capacitance vs. Reverse Voltage
0
25
50
75
100
125
150
25
50
75
100
125
150
1
10
100 200
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
120
100
80
60
40
20
0
Qrr
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT30GT60AR | 40 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-204AE |
| APT30GT60KR | 64 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB |
| APT30GU60JU3 | 67 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT30M17JFLL | 135 A, 300 V, 0.017 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APT30M19JVFR | 130 A, 300 V, 0.019 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| APT30GP60JDQ1 | 功能描述:IGBT 600V 67A 245W SOT227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:POWER MOS 7® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |
| APT30GP60LDL | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Resonant Mode Combi IGBT |
| APT30GP60LDLG | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:IGBT 600V 100A 463W TO264 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:IGBT 600V 100A TO-264 |
| APT30GS60BRDL | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Resonant Mode Combi IGBT |
| APT30GS60BRDLG | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - RESONANT MODE - COMBI - Rail/Tube 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR |
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