參數(shù)資料
型號(hào)： APT30N60KC6
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： JFETs
英文描述： 30 A, 600 V, 0.125 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： TO-220, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/5頁(yè)
文件大?。?/td> 144K
代理商： APT30N60KC6
Typical Performance Curves
APT30N60KC6
050-721
1
Rev
A
8-2010
0.60
0.70
0.80
0.90
1.00
1.10
1.20
-50
0
50
100
150
0.85
0.90
0.95
.00
.05
.10
.15
.20
-50
0
50
100
150
0.50
1.00
1.50
2.00
2.50
3.00
0
20
40
60
80
100
0
5
10
15
20
25
30
35
40
25
50
75
100
125
150
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0
2
4
6
8
10
12
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0
5
10
15
20
25
30
15V
V
GS = 20V
T
J= 25°C
T
J= -55°C
V
DS, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (V)
FIGURE 2, Low Voltage Output Characteristics
I C
,DRAIN
CURRENT
(A)
T
J= 125°C
V
GS, GATE-TO-SOURCE VOLTAGE (V)
FIGURE 3, Transfer Characteristics
I D
,DRAIN
CURRENT
(A)
T
C, CASE TEMPERATURE (C°)
FIGURE 5, Maximum Drain Current vs Case Temperature
I D
,DRAIN
CURRENT
(A)
I
D, DRAIN CURRENT (A)
FIGURE 4, R
DS(ON) vs Drain Current
I DR
,REVERSE
T
J, Junction Temperature (°C)
FIGURE 6, Breakdown Voltage vs Temperature
BV
DSS
,DRAIN-T
O-SOURCE
BREAKDOWN
VOL
TAGE
(NORMALIZED)
T
C, Case Temperature (°C)
FIGURE 8, Threshold Voltage vs Temperature
V
GS
(TH),
THRESHOLD
VOL
TAGE
(NORMALIZED)
0.50
1.00
1.50
2.00
2.50
3.00
-50
0
50
100
150
T
J, JUNCTION TEMPERATURE (C°)
FIGURE 7, On-Resistance vs Temperature
R
DS(ON)
,DRAIN-T
O-SOURCE
ON
RESIST
ANCE
(NORMALIZED)
4.5V
6.5V
10V
V
GS = 10V
V
DS> ID (ON) x RDS (ON)MAX.
250μSEC. PULSE TEST
@ <0.5 % DUTY CYCLE
NORMALIZED TO
V
GS = 10V @ 15A
I D
,DRAIN
CURRENT
(A)
V
DS, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (V)
FIGURE 9, Maximum Safe Operating Area
1
10
100
200
1
10
100
800
1ms
100ms
100s
10ms
10s
5.0V
5.5V
6.0V
7.0V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT31N60SCS 31 A, 600 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
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APT31N60BCSG 31 A, 600 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD
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APT30S20BCTG_05 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:HIGH VOLTAGE SCHOTTKY DIODE
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