參數(shù)資料
型號(hào)： APT47N65BC3
廠(chǎng)商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： 47 A, 650 V, 0.07 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
封裝： D3PAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 4/5頁(yè)
文件大?。?/td> 179K
代理商： APT47N65BC3
050-7202
Rev
A
3-2009
APT47N65BC3
Typical Performance Curves
C
rss
C
iss
C
oss
V
DS, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
V
DS, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
FIGURE 10, MAXIMUM SAFE OPERATING AREA
FIGURE 11, CAPACITANCE vs DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE
Q
g, TOTAL GATE CHARGE (nC)
V
SD, SOURCE-TO-DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
FIGURE 12, GATE CHARGES vs GATE-TO-SOURCE VOLTAGE
FIGURE 13, SOURCE-DRAIN DIODE FORWARD VOLTAGE
V
GS
,GA
TE-T
O-SOURCE
VOL
TAGE
(VOL
TS)
I D
,DRAIN
CURRENT
(AMPERES)
I
DR
,REVERSE
DRAIN
CURRENT
(AMPERES)
C,
CAP
ACIT
ANCE
(pF)
1
10
100
600
0
10
20
30
40
50
0
50
100 150 200 250 300 350 400
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
188
100
50
10
5
1
16
12
8
4
0
T
C =+25°C
T
J =+150°C
SINGLE PULSE
10mS
1mS
100μS
T
J =+150°C
T
J =+25°C
I
D (A)
I
D (A)
FIGURE 14, DELAY TIMES vs CURRENT
FIGURE 15, RISE AND FALL TIMES vs CURRENT
I
D (A)
R
G, GATE RESISTANCE (Ohms)
FIGURE 16, SWITCHING ENERGY vs CURRENT
FIGURE 17, SWITCHING ENERGY VS. GATE RESISTANCE
V
DD = 400V
R
G = 5
W
T
J = 125°C
L = 100μH
E
on
E
off
t
r
t
f
SWITCHING
ENERGY
(
m
J)
t
d(on)
and
t
d(of
f)
(ns)
SWITCHING
ENERGY
(
m
J)
t
r
and
t
f
(ns)
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50
V
DD = 400V
I
D = 47A
T
J = 125°C
L = 100μH
E
ON includes
diode reverse recovery.
V
DS= 300V
V
DS= 120V
V
DS= 480V
I
D = 47A
t
d(on)
t
d(off)
E
on
E
off
350
300
250
200
150
100
50
0
2500
2000
1500
1000
500
0
V
DD = 400V
R
G = 5
W
T
J = 125°C
L = 100μH
V
DD = 400V
R
G = 5
W
T
J = 125°C
L = 100μH
E
ON includes
diode reverse recovery.
30,000
10,000
1,000
100
10
200
100
10
1
OPERATION HERE
LIMITED BY R
DS
(ON)
120
100
80
60
40
20
0
4500
4000
3500
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT5010B2VFR 47 A, 500 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
APT5010B2VR 47 A, 500 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT5010B2VRG 47 A, 500 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT5010B2VR 47 A, 500 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT5010JLLU2 41 A, 500 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
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參數(shù)描述
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APT47N65SCS3G 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 650V 47A TO-247
APT48M80B2 功能描述:MOSFET N-CH 800V 48A T-MAX RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:POWER MOS 8™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
APT48M80L 功能描述:MOSFET N-CH 800V 48A TO-264 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
APT4F120K 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 4A TO-220 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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