參數(shù)資料
型號： APT47N65BC3
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： JFETs
英文描述： 47 A, 650 V, 0.07 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
封裝： D3PAK-3
文件頁數(shù)： 5/5頁
文件大?。?/td> 179K
代理商： APT47N65BC3
050-7202
Rev
A
3-2009
Typical Performance Curves
APT47N65BC3
TO
-247 Package Outline
IC
D.U.T.
APT30DF60
VCE
Figure 20, Inductive Switching Test Circuit
VDD
G
Figure 18, Turn-on Switching Waveforms and Denitions
Figure 19, Turn-off Switching Waveforms and Denitions
T
J = 125
C
Collector Current
Collector Voltage
5 %
t
r
90%
10%
t
d(on)
5%
10%
Gate Voltage
Switching Energy
T
J = 125
C
90%
Gate Voltage
Collector Voltage
Collector Current
0
10%
90%
t
f
t
d(off)
Switching Energy
Microsemi’s products are covered by one or more of U.S. patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522 5,262,336 6,503,786 5,256,583
4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 6,939,743, 7,352,045 5,283,201 5,801,417 5,648,283 7,196,634 6,664,594 7,157,886 6,939,743 7,342,262
and foreign patents. US and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
4.50 (.177) Max.
19.81 (.780)
20.32 (.800)
20.80 (.819)
21.46 (.845)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
1.01 (.040)
1.40 (.055)
5.45 (.215) BSC
2.87 (.113)
3.12 (.123)
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
2.21 (.087)
2.59 (.102)
0.40 (.016)
0.79 (.031)
Drain
Source
Gate
These dimensions are equal to the TO-247 without the mounting hole.
Drain
2-Plcs.
Dimensions in Millimeters and (Inches)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT5010B2VFR 47 A, 500 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
APT5010B2VR 47 A, 500 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT5010B2VRG 47 A, 500 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT5010B2VR 47 A, 500 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT5010JLLU2 41 A, 500 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
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參數(shù)描述
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APT47N65SCS3G 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 650V 47A TO-247
APT48M80B2 功能描述:MOSFET N-CH 800V 48A T-MAX RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:POWER MOS 8™ 標(biāo)準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
APT48M80L 功能描述:MOSFET N-CH 800V 48A TO-264 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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