參數(shù)資料
型號： APT50GS60SR(G)
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 93 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, D3PAK-3
文件頁數(shù)： 7/7頁
文件大?。?/td> 605K
代理商： APT50GS60SR(G)
Microsemi’s products are covered by one or more of U.S.patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522 5,262,336 6,503,786
5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. US and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
e1 SAC: Tin, Silver, Copper
TO-247 Package Outline
D3 Pak Package Outline
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
6.15 (.242) BSC
4.50 (.177) Max.
19.81 (.780)
20.32 (.800)
20.80 (.819)
21.46 (.845)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
1.01 (.040)
1.40 (.055)
3.50 (.138)
3.81 (.150)
2.87 (.113)
3.12 (.123)
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
2.21 (.087)
2.59 (.102)
0.40 (.016)
0.79 (.031)
Collector
Emitter
Gate
5.45 (.215) BSC
Dimensions in Millimeters and (Inches)
2-Plcs.
15.95 (.628)
16.05(.632)
1.22 (.048)
1.32 (.052)
5.45 (.215) BSC
{2 Plcs.}
4.98 (.196)
5.08 (.200)
1.47 (.058)
1.57 (.062)
2.67 (.105)
2.84 (.112)
0.46 (.018) {3 Plcs}
0.56 (.022)
Dimensions in Millimeters (Inches)
Heat Sink (Collector)
and Leads are Plated
3.81 (.150)
4.06 (.160)
(Base of Lead)
Collector (Heat
Sink)
1.98 (.078)
2.08 (.082)
Gate
Collector
Emitter
0.020 (.001)
0.178 (.007)
1.27 (.050)
1.40 (.055)
11.51 (.453)
11.61 (.457)
13.41 (.528)
13.51(.532)
Revised
8/29/97
1.04 (.041)
1.15(.045)
13.79 (.543)
13.99(.551)
Revised
4/18/95
APT50GS60B_SRDQ2(G)
052-6301
Rev
A
8-2007
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT50GS60BRDQ2(G) 93 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
APT50GS60SRDQ2(G) 93 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APT50GT120B2R 106 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
APT50GT120B2RG 106 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
APT50GT120B2R 94 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APT50GT120B2G 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR
APT50GT120B2R 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Thunderbolt IGBT
APT50GT120B2RDL 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Resonant Mode IGBT
APT50GT120B2RDLG 功能描述:IGBT 1200V 106A 694W TO-247 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:Thunderbolt IGBT® 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
APT50GT120B2RDQ2G 功能描述:IGBT 1200V 94A 625W TO247 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:Thunderbolt IGBT® 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
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