參數(shù)資料
型號： APT60GF120JRD
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： The Fast IGBT⑩ is a new generation of high voltage power IGBTs.
中文描述： ⑩的快速IGBT是一種高壓IGBT的新一代。
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大小： 51K
代理商： APT60GF120JRD
Symbol
C
ies
C
oes
C
res
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
d
(on)
t
r
t
d
(off)
t
f
t
d
(on)
t
r
t
d
(off)
t
f
E
on
E
off
E
ts
t
d
(on)
t
r
t
d
(off)
t
f
E
ts
gfe
DYNAMIC CHARACTERISTICS (IGBT)
APT60GF120JRD
UNIT
°
C/W
oz
gm
lbin
Nm
MIN
TYP
MAX
0.24
0.66
40
1.03
29.2
10
1.1
Characteristic
Junction to Case (IGBT)
Junction to Case (FRED)
Junction to Ambient
Package Weight
Mounting Torque (
Mounting = 8-32 or 4mm Machine and Terminals = 4mm Machine
)
Symbol
R
Θ
JC
R
Θ
JA
W
T
Torque
THERMAL AND MECHANICAL CHARACTERISTICS (IGBT and FRED)
Test Conditions
Capacitance
V
GE
= 0V
V
CE
= 25V
f = 1 MHz
Gate Charge
GE
V
CC
= 0.5V
CES
I
C
= I
C2
Resistive Switching (25
°
C)
V
GE
= 15V
V
CC
= 0.8V
CES
I
C
= I
C2
G
= 5
Inductive Switching (150
°
C)
V
CLAMP
(Peak)
= 0.66V
CES
V
GE
= 15V
I
C
= I
C2
G
= 5
T
J
= +150
°
C
Inductive Switching (25
°
C)
V
CLAMP
(Peak)
= 0.66V
CES
V
GE
= 15V
I
C
= I
C2
R
G
= 5
T
J
= +25
°
C
V
CE
= 20V, I
C
= I
C2
MIN
TYP
MAX
7200
9600
790
1100
420
630
690
55
390
60
205
295
210
55
130
750
80
9
10
19
55
145
650
70
17
6
UNIT
pF
nC
ns
ns
mJ
ns
mJ
S
0
Characteristic
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Total Gate Charge
3
Gate-Emitter Charge
Gate-Collector ("Miller") Charge
Turn-on Delay Time
Rise Time
Turn-off Delay Time
Fall Time
Turn-on Delay Time
Rise Time
Turn-off Delay Time
Fall Time
Turn-on Switching Energy
4
Turn-off Switching Energy
Total Switching Losses
4
Turn-on Delay Time
Rise Time
Turn-off Delay Time
Fall Time
Total Switching Losses
4
Forward Transconductance
1
Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature.
2
Leakages include the FRED and IGBT.
3
See MIL-STD-750 Method 3471
4
Switching losses include the FRED and IGBT.
APT Reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein.
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PDF描述
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