參數(shù)資料
型號(hào)： APT60GF120JRD
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： The Fast IGBT⑩ is a new generation of high voltage power IGBTs.
中文描述： ⑩的快速IGBT是一種高壓IGBT的新一代。
文件頁(yè)數(shù)： 4/4頁(yè)
文件大?。?/td> 51K
代理商： APT60GF120JRD
diM/dt - Maximum Rate of Current Change During the Trailing Portion of trr.
APT60GF120JRD
0
SOT-227 (ISOTOP
) Package Outline
PEARSON 411
CURRENT
TRANSFORMER
0.5 IRRM
di
F
/dt Adjust
30
μ
H
D.U.T.
+15v
-15v
0v
Vr
4
3
1
2
5
5
0.75 IRRM
trr/Qrr
Waveform
Zero
6
1
2
3
4
6
di
/dt - Current Slew Rate, Rate of Forward
Current Change Through Zero Crossing.
I
F
- Forward Conduction Current
I
RRM
- Peak Reverse Recovery Current.
trr - Reverse Recovery Time Measured from Point of I
Current Falling Through Zero to a Tangent Line
{
diM/dt
}
Extrapolated Through Zero Defined by 0.75 and 0.50 I
RRM
.
Qrr - Area Under the Curve Defined by I
RRM
and trr.
6
Figure 25, Diode Reverse Recovery Test Circuit and Waveforms
Figure 8, Diode Reverse Recovery Waveform and Definitions
Qrr = 1/2
(
trr . I
RRM
)
31.5 (1.240)
31.7 (1.248)
7.8 (.307)
8.2 (.322)
Dimensions in Millimeters and (Inches)
30.1 (1.185)
30.3 (1.193)
38.0 (1.496)
38.2 (1.504)
14.9 (.587)
15.1 (.594)
11.8 (.463)
12.2 (.480)
8.9 (.350)
9.6 (.378)
Hex Nut M4
(4 places)
0.75 (.030)
0.85 (.033)
12.6 (.496)
12.8 (.504)
25.2 (0.992)
25.4 (1.000)
1.95 (.077)
2.14 (.084)
* Emitter
Collector
Gate
*
r = 4.0 (.157)
(2 places)
4.0 (.157)
4.2 (.165)
(2 places)
W=4.1 (.161)
W=4.3 (.169)
H=4.8 (.187)
H=4.9 (.193)
(4 places)
3.3 (.129)
3.6 (.143)
* Emitter
Source terminals are shorted
internally. Current handling
capability is equal for either
Source terminal.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT60GF60JU3 ISOTOP Buck chopper NPT IGBT
APT60GT60JRDQ3 Thunderbolt IGBT
APT60GU30B POWER MOS 7 IGBT
APT60GU30S POWER MOS 7 IGBT
APT60M90JN N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APT60GF120JRDQ3 功能描述:IGBT 1200V 149A 625W SOT227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APT60GF60JU2 功能描述:IGBT 600V 93A 378W SOT227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APT60GF60JU3 功能描述:IGBT 600V 93A 378W SOT227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APT60GL120JU2 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:ISOTOP? Boost chopper Trench + Field Stop IGBT4 Power module
APT60GL120JU2_10 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:ISOTOP?? Boost chopper Trench Field Stop IGBT4 Power module
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