參數(shù)資料
型號(hào)： APT60GF120JRDQ3
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： FAST IGBT & FRED
中文描述： 快速IGBT
文件頁數(shù)： 5/9頁
文件大?。?/td> 456K
代理商： APT60GF120JRDQ3
0
APT60GF120JRDQ3
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
20,000
0.24
0.20
0.16
0.12
0.08
0.04
0
Z
θ
J
,
0.3
SINGLE PULSE
RECTANGULAR PULSE DURATION (SECONDS)
Figure 19a, Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-To-Case vs Pulse Duration
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1.0
10
10,000
5,000
1,000
500
100
350
300
250
200
150
100
50
0
C
P
F
I
C
,
V
, COLLECTOR-TO-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 17, Capacitance vs Collector-To-Emitter Voltage
V
, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
Figure 18,Minimim Switching Safe Operating Area
0
10
20
30
40
50
0
200
400
600
800 1000 1200 1400
FIGURE 19b, TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE MODEL
20 30
I
, COLLECTOR CURRENT (A)
Figure 20, Operating Frequency vs Collector Current
40
50
60
70
80
90
100
F
M
,
T
= 125
°
C
D = 50 %
V
CE
= 800V
R
G
= 1.0
50
10
5
1
0.5
0.1
0.05
F
max
=
min (f
max
, f
max2
)
0.05
f
max1
=
t
d(on)
+ t
r
+ t
d(off)
+ t
f
P
diss
- P
cond
E
on2
+ E
off
T
J
- T
C
R
θ
JC
f
max2
=
P
diss
=
C
res
C
ies
C
oes
D = 0.9
0.7
Peak T
J
= P
DM
x Z
θ
JC + TC
Duty Factor D =
t1
/
t2
t2
t1
P
D
Note:
T
C
= 75
°
C
T
C
= 100
°
C
0.0410
0.123
0.0358
0.0374
0.680
19.17
Dissipated Power
(Watts)
T
J
(°C)
T
C
(°C)
Z
are the external thermal
impedances: Case to sink,
sink to ambient, etc. Set to
zero when modeling only
the case to junction.
Z
E
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PDF描述
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