參數(shù)資料
型號(hào)： APTGF50TL60T3G
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 65 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, SP3, 25 PIN
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 238K
代理商： APTGF50TL60T3G
APTGF50TL60T3G
APT
G
F50TL
60T
3G
–
Rev
0
M
ar
ch,
2009
www.microsemi.com
3- 8
CR1 to CR6 diode ratings and characteristics
Symbol
Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
VRRM
Maximum Peak Repetitive Reverse Voltage
600
V
Tj = 25°C
25
IRM
Maximum Reverse Leakage Current
VR=600V
Tj = 150°C
500
A
IF
DC Forward Current
Tc = 80°C
30
A
IF = 30A
1.8
2.2
IF = 60A
2.2
VF
Diode Forward Voltage
IF = 30A
Tj = 125°C
1.5
V
Tj = 25°C
25
trr
Reverse Recovery Time
Tj = 125°C
160
ns
Tj = 25°C
35
Qrr
Reverse Recovery Charge
IF = 30A
VR = 400V
di/dt =200A/s
Tj = 125°C
480
nC
Err
Reverse Recovery Energy
IF = 30A
VR = 400V
di/dt =1000A/s
Tj = 125°C
0.6
mJ
RthJC
Junction to Case Thermal Resistance
1.2
°C/W
Temperature sensor NTC (see application note APT0406 on www.microsemi.com for more information).
Symbol
Characteristic
Min
Typ
Max
Unit
R25
Resistance @ 25°C
50
k
Ω
R25/R25
5
%
B25/85
T25 = 298.15 K
3952
K
B/B
TC=100°C
4
%
=
T
B
R
T
1
exp
25
85
/
25
Thermal and package characteristics
Symbol
Characteristic
Min
Typ
Max
Unit
VISOL
RMS Isolation Voltage, any terminal to case t =1 min, I isol<1mA, 50/60Hz
2500
V
TJ
Operating junction temperature range
-40
150
TSTG
Storage Temperature Range
-40
125
TC
Operating Case Temperature
-40
100
°C
Torque Mounting torque
To heatsink
M4
2.5
4.7
N.m
Wt
Package Weight
110
g
T: Thermistor temperature
RT: Thermistor value at T
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGF50VDA60T3G 65 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF50X120E3 78 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF50X120E3G 78 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF50X120E3 78 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF75DA60D1 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGF50VDA120T3G 功能描述:POWER MOD IGBT NPT DL BOOST SP3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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APTGF50X120E2 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:3 Phase bridge NPT IGBT Power Module
APTGF50X120E2G 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR
APTGF50X120E3 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:3 Phase bridge NPT IGBT Power Module
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