參數(shù)資料
型號(hào): APTGF50TL60T3G
廠商: MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類: IGBT 晶體管
英文描述: 65 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝: ROHS COMPLIANT, SP3, 25 PIN
文件頁(yè)數(shù): 7/8頁(yè)
文件大?。?/td> 238K
代理商: APTGF50TL60T3G
APTGF50TL60T3G
APT
G
F50TL
60T
3G
Rev
0
M
ar
ch,
2009
www.microsemi.com
7- 8
Cies
Cres
Coes
100
1000
10000
0
1020
304050
C
,Cap
aci
ta
nce
(pF)
Capacitance vs Collector to Emitter Voltage
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Rectangular Pulse Duration (Seconds)
Ther
m
al
I
m
ped
a
nce
(°C/W
)
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case vs Pulse Duration
Operating Frequency vs Collector Current
hard
switching
0
40
80
120
160
200
240
0
2040
6080
100
IC, Collector Current (A)
F
ma
x,
O
p
er
ati
n
g
F
reque
ncy
(kH
z
)
VCE = 400V
D = 50%
RG = 2.7
TJ = 125°C
TC= 75°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGF50VDA60T3G 65 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF50X120E3 78 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF50X120E3G 78 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF50X120E3 78 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF75DA60D1 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGF50VDA120T3G 功能描述:POWER MOD IGBT NPT DL BOOST SP3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce(開(kāi)):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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APTGF50X120E2 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:3 Phase bridge NPT IGBT Power Module
APTGF50X120E2G 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR
APTGF50X120E3 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:3 Phase bridge NPT IGBT Power Module