參數(shù)資料
型號： APTM60H23FT1G
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： JFETs
英文描述： 20 A, 600 V, 0.23 ohm, 4 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT PACKAGE-12
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 190K
代理商： APTM60H23FT1G
APTM60H23FT1G
APT
M
60H23FT
1G
–
Rev
0
Janu
ar
y,
2010
www.microsemi.com
2 – 5
All ratings @ Tj = 25°C unless otherwise specified
Electrical Characteristics
Symbol
Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Tj = 25°C
250
IDSS
Zero Gate Voltage Drain Current
VDS = 600V
VGS = 0V
Tj = 125°C
1000
A
RDS(on)
Drain – Source on Resistance
VGS = 10V, ID = 17A
190
230
m
Ω
VGS(th)
Gate Threshold Voltage
VGS = VDS, ID = 1mA
3
4
5
V
IGSS
Gate – Source Leakage Current
VGS = ±30 V
±100
nA
Dynamic Characteristics
Symbol
Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Ciss
Input Capacitance
5316
Coss
Output Capacitance
610
Crss
Reverse Transfer Capacitance
VGS = 0V
VDS = 25V
f = 1MHz
56
pF
Qg
Total gate Charge
165
Qgs
Gate – Source Charge
36
Qgd
Gate – Drain Charge
VGS = 10V
VBus = 300V
ID = 17A
70
nC
Td(on)
Turn-on Delay Time
37
Tr
Rise Time
43
Td(off)
Turn-off Delay Time
115
Tf
Fall Time
Resistive switching @ 25°C
VGS = 15V
VBus = 400V
ID = 17A
RG = 4.7Ω
34
ns
Source - Drain diode ratings and characteristics
Symbol
Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Tc = 25°C
20
IS
Continuous Source current
(Body diode)
Tc = 80°C
15
A
VSD
Diode Forward Voltage
VGS = 0V, IS = - 17A
1
V
dv/dt
Peak Diode Recovery
30
V/ns
Tj = 25°C
200
trr
Reverse Recovery Time
Tj = 125°C
370
ns
Tj = 25°C
0.76
Qrr
Reverse Recovery Charge
IS = - 17A
VR = 100V
diS/dt = 100A/s
Tj = 125°C
1.91
C
dv/dt numbers reflect the limitations of the circuit rather than the device itself.
IS ≤ - 17A
di/dt
≤ 1000A/s
VDD ≤ 400V
Tj ≤ 125°C
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PDF描述
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