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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | APTM60H23FT1G |
| 廠商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 20 A, 600 V, 0.23 ohm, 4 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT PACKAGE-12 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/5頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 190K |
| 代理商： | APTM60H23FT1G |
APTM60H23FT1G
APT
M
60H23FT
1G
–
Rev
0
Janu
ar
y,
2010
www.microsemi.com
5 – 5
TJ=25°C
TJ=125°C
0
10
20
30
40
50
60
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
VSD, Source to Drain Voltage (V)
I SD
,Reverse
Drai
n
C
u
rren
t(A)
Drain Current vs Source to Drain Voltage
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
rectangular Pulse Duration (Seconds)
Th
erm
a
lI
m
ped
a
n
ce
(°
C
/W)
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case vs Pulse Duration
Microsemi reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein
Microsemi's products are covered by one or more of U.S patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522
5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. U.S and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
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| APTMC120AM16CD3AG | 功能描述:MOSFET 2N-CH 1200V 131A D3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 通道（半橋） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:131A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:20 毫歐 @ 100A，20V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 5mA（標(biāo)準(zhǔn)） 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:246nC @ 20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4750pF @ 1000V 功率 - 最大值:625W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:D-3 模塊 供應(yīng)商器件封裝:D3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
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