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參數(shù)資料
| 型號： | ARF477FL |
| 廠商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 2 CHANNEL, VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, CERAMIC PACKAGE-8 |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大小： | 145K |
| 代理商： | ARF477FL |
050-4952
B
3-2010
0.10
1.00
10.00
56.00
1
5
10
50 100
500
DYNAMIC CHARACTERISTICS (per section)
ARF477FL
16
12
8
4
0
2
4
6
8
10
CAP
ACIT
ANCE
(pf)
V
DS, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2, Typical Capacitance vs. Drain-to-Source Voltage
5000
1000
500
100
50
10
.1
.5
1
5
10
50
150
I D
,DRAIN
CURRENT
(AMPERES)
V
DS, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 4, Typical Maximum Safe Operating Area
V
GS, GATE-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3, Typical Transfer Characteristics
I D
,DRAIN
CURRENT
(AMPERES)
V
DS> ID (ON) x RDS (ON)MAX.
250μSEC. PULSE TEST
@ <0.5 % DUTY CYCLE
T
J = -55°C
T
J = -55°C
T
J = +125°C
T
J = +25°C
T
C =+25°C
T
J =+150°C
SINGLE PULSE
OPERATION HERE
LIMITED BY R
DS
(ON)
C
iss
C
oss
C
rss
→
←
V
DS, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1, Typical Output Characteristics
25
20
15
10
5
0
5
10
15
20
25
30
I D
,DRAIN
CURRENT
(AMPERES)
6.5V
5.5V
6V
7V
V
GS=15 & 10V
9V
8V
4.5V
5V
→
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
C
ISS
Input Capacitance
V
GS = 0V
1200
1400
pF
C
oss
Output Capacitance
V
DS = 150V
f = 1MHz
150
180
C
rss
Reverse Transfer Capacitance
60
75
t
d(on)
Turn-on Delay Time
V
GS = 15V
V
DD = 250V
I
D = ID[Cont.] @ 25°C
R
G = 1.6 Ω
7
nS
t
r
Rise Time
6
t
d(off)
Turn-off Delay Time
20
t
f
Fall Time
4.0
7
Functional Characteristics
Symbol
Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
G
PS
Common Source Amplier Power Gain
f = 65MHz
I
dq = 0mA
V
DD = 150V
P
OUT = 400W
14
16
dB
η
Drain Efciency
50
55
%
Ψ
Electrical Ruggedness VSWR 10:1
No Degradation in Output Power
1. Pulse Test: Pulse width < 380 μS, Duty Cycle < 2%.
Microsemi reserves the right to change, without notice, the specications and information contained herein.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ARF523-2112S | DATACOM TRANSFORMER FOR 10/100/1000 BASE-T; ETHERNET APPLICATION(S) |
| ARH1617RGS | DATACOM TRANSFORMER FOR 10/100 BASE-T; ETHERNET APPLICATION(S) |
| ARHNR-1605GS | DATACOM TRANSFORMER FOR 10/100 BASE-T; ETHERNET APPLICATION(S) |
| ARHNR-1609GS | DATACOM TRANSFORMER FOR 10/100 BASE-T; ETHERNET APPLICATION(S) |
| AS-19.6608-32-F-3PIN-H25-TR | QUARTZ CRYSTAL RESONATOR, 19.6608 MHz |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| ARF477FL_10 | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:RF POWER MOSFET N-CHANNEL PUSH - PULL PAIR |
| ARF500 12R J | 功能描述:RES CHAS MNT 12 OHM 5% 500W 制造商:ohmite 系列:ARF 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電阻值:12 Ohms 容差:±5% 功率（W）:500W 成分:繞線 溫度系數(shù):±150ppm/°C 工作溫度:0°C ~ 200°C 特性:脈沖耐受 涂層，外殼類型:鋁 安裝特性:螺釘孔 大小/尺寸:10.630" 長 x 3.110" 寬 (270.00mm x 79.00mm) 高度 - 安裝（最大值）:0.728"（18.50mm） 引線形式:導(dǎo)線引線 封裝/外殼:矩形外殼 故障率:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| ARF500 16R J | 功能描述:RES CHAS MNT 16 OHM 5% 500W 制造商:ohmite 系列:ARF 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電阻值:16 Ohms 容差:±5% 功率（W）:500W 成分:繞線 溫度系數(shù):±150ppm/°C 工作溫度:0°C ~ 200°C 特性:脈沖耐受 涂層，外殼類型:鋁 安裝特性:螺釘孔 大小/尺寸:10.630" 長 x 3.110" 寬 (270.00mm x 79.00mm) 高度 - 安裝（最大值）:0.728"（18.50mm） 引線形式:導(dǎo)線引線 封裝/外殼:矩形外殼 故障率:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| ARF500 68R J | 功能描述:RES CHAS MNT 68 OHM 5% 500W 制造商:ohmite 系列:ARF 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電阻值:68 Ohms 容差:±5% 功率（W）:500W 成分:繞線 溫度系數(shù):±150ppm/°C 工作溫度:0°C ~ 200°C 特性:脈沖耐受 涂層，外殼類型:鋁 安裝特性:螺釘孔 大小/尺寸:10.630" 長 x 3.110" 寬 (270.00mm x 79.00mm) 高度 - 安裝（最大值）:0.728"（18.50mm） 引線形式:導(dǎo)線引線 封裝/外殼:矩形外殼 故障率:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| AR-F5000 | 制造商:Stellar Labs Power 功能描述:Acer Ferrari Replacement Laptop Battery |
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