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參數(shù)資料
| 型號： | AS29LV400B-80TC |
| 英文描述： | IC-SMD-4M FLASH BTM BOOT SECT |
| 中文描述： | 集成電路表面貼裝，4分閃光溴代三氟獒烷開機(jī)膚效應(yīng) |
| 文件頁數(shù)： | 19/25頁 |
| 文件大?。?/td> | 463K |
| 代理商： | AS29LV400B-80TC |
AS29LV800
3/22/01;
V.1.0
Alliance Semiconductor
P. 19 of 25
March 2001
AC parameters — temporary sector unprotect
Temporary sector unprotect waveform
AC parameters — RESET
RESET waveform
Erase waveform
×16 mode
JEDEC
Symbol
Std Symbol
Parameter
-70R/80/90/120
Unit
Min
Max
t
VIDR
V
ID
rise and fall time
RESET
setup time for temporary sector
unprotect
500
-
ns
t
RSP
4
-
μs
JEDEC
Symbol
Std Symbol
Parameter
-70R/80/90/120
Unit
Min
Max
t
RP
RESET
pulse
500
-
ns
t
RH
RESET
High time before Read
-
50
ns
t
READY
RESET
Low to Read mode
-
10
μs
RESET
CE
WE
RY/BY
0 or 3V
t
VIDR
t
VIDR
0 or 3V
t
RSP
Program/erase command sequence
10V
RESET
RY/BY
DQ
t
RP
t
READY
t
RP
t
RH
valid data
valid data
status
status
Addresses
CE
OE
WE
Data
555h
2AAh
555h
t
AH
555h
2AAh
Sector address
t
WC
t
AS
t
GHWL
AAh
55h
80h
AAh
55h
30h
10h for Chip Erase
t
WP
t
CS
t
WPH
t
DH
t
DS
t
WC
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AS29LV400T-80TC | IC-SMD-4M FLASH TOP BOOT SECT |
| AS29P200 | 5V 256K x 8 / 128K x 16 CMOS Flash EEPROM |
| AS29F200 | 5V 256K x 8/128K x 8 CMOS FLASH EEPROM |
| AS29F200B-120SC | 5V 256K x 8/128K x 8 CMOS FLASH EEPROM |
| AS29F200B-120SI | 5V 256K x 8/128K x 8 CMOS FLASH EEPROM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AS29LV400B-80TI | 制造商:ALSC 制造商全稱:Alliance Semiconductor Corporation 功能描述:3V 512K x 8/256K x 16 CMOS Flash EEPROM |
| AS29LV400B-90SC | 制造商:ALSC 制造商全稱:Alliance Semiconductor Corporation 功能描述:3V 512K x 8/256K x 16 CMOS Flash EEPROM |
| AS29LV400B-90SI | 制造商:ALSC 制造商全稱:Alliance Semiconductor Corporation 功能描述:3V 512K x 8/256K x 16 CMOS Flash EEPROM |
| AS29LV400B-90TC | 制造商:ALSC 制造商全稱:Alliance Semiconductor Corporation 功能描述:3V 512K x 8/256K x 16 CMOS Flash EEPROM |
| AS29LV400B-90TI | 制造商:ALSC 制造商全稱:Alliance Semiconductor Corporation 功能描述:3V 512K x 8/256K x 16 CMOS Flash EEPROM |
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