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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | AS6UA5128-BI |
| 廠商： | Semicoa Semiconductor |
| 英文描述： | 2.3V to 3.6V 512K】8 Intelliwatt low-power CMOS SRAM |
| 中文描述： | 2.3V至3.6V的為512k】8 Intelliwatt低功耗CMOS SRAM的 |
| 文件頁數(shù)： | 8/9頁 |
| 文件大小： | 160K |
| 代理商： | AS6UA5128-BI |
8
ALLIANCE SEMICONDUCTOR
10/6/00
AS6UA5128
Package diagrams and dimensions
Minimum
–
6.90
–
10.90
–
0.30
–
–
0.22
–
Typical
0.75
7.00
3.75
11.00
5.25
0.35
–
0.68
0.25
–
Maximum
–
7.10
–
11.10
–
0.40
1.20
–
0.27
0.08
A
B
B1
C
C1
D
E
E1
E2
Y
Notes
1. Bump counts: 36(48) (8 row × 6 column).
2. Pitch: (x,y) = 0.75 mm × 0.75 mm (typ).
3. Units: millimeters.
4. All tolerance are ±0.050 unless otherwise specified.
5. Typ: typical.
6. Y is coplanarity: 0.08 (max).
36(48)-ball FBGA
Ball #A1
Top View
Ball #A1 index
Bottom View
1
2
3
4
5
6
A
C
D
E
F
G
H
B
A
A
B1
C1
SRAM Die
C
Elastomer
B
Side View
Detail View
E
E2
E1
D
Die
A
E
E2
0.3/Typ
Y
Die
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AS6UA5128 | 2.3V to 3.6V 512K】8 Intelliwatt low-power CMOS SRAM |
| ASD355-N | Silicon epitaxial planar type |
| ASD500V-N | Advanced Schottky Barrier Diodes - Surface mount small signal type |
| ASD500V | ER 10C 10#16 PIN RECP LINE |
| ASD501V-N | Advanced Schottky Barrier Diodes - Surface mount small signal type |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AS6VA2516-BC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 SRAM |
| AS6VA2516-TC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 SRAM |
| AS6VA25616 | 制造商:ALSC 制造商全稱:Alliance Semiconductor Corporation 功能描述:2.7V to 3.3V 256K x 16 Intelliwatt low-power CMOS SRAM with one chip enable |
| AS6VA25616-BC | 制造商:ALSC 制造商全稱:Alliance Semiconductor Corporation 功能描述:2.7V to 3.3V 256K x 16 Intelliwatt low-power CMOS SRAM with one chip enable |
| AS6VA25616-BI | 制造商:ALSC 制造商全稱:Alliance Semiconductor Corporation 功能描述:2.7V to 3.3V 256K x 16 Intelliwatt low-power CMOS SRAM with one chip enable |
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