參數(shù)資料
型號(hào)： AT-32011-BLK
英文描述： Low Current, High Performance NPN Silicon Bipolar Transistor
中文描述： 低電流，高性能NPN硅雙極晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 5/10頁(yè)
文件大?。?/td> 125K
代理商： AT-32011-BLK
4-57
AT-32011 Typical Scattering Parameters,
Common Emitter, Zo = 50
V
CE
= 1 V, I
C
= 1 mA
Freq.
S
11
S
21
GHz
Mag
Ang
dB
Mag
0.1
0.97
-11
11.09
3.59
0.5
0.88
-52
10.13
3.21
0.9
0.78
-86
8.67
2.71
1.0
0.75
-94
8.35
2.62
1.5
0.67
-127
6.35
2.08
1.8
0.63
-144
5.25
1.83
2.0
0.61
-155
4.75
1.73
2.4
0.59
-175
3.48
1.49
3.0
0.59
157
1.77
1.23
4.0
0.63
120
-0.39
0.96
5.0
0.69
94
-2.39
0.76
S
12
Mag
0.021
0.091
0.132
0.137
0.153
0.154
0.151
0.144
0.128
0.120
0.166
S
22
Ang
172
141
117
112
89
77
70
57
40
18
0
dB
-33.55
-20.85
-17.62
-17.27
-16.30
-16.28
-16.42
-16.86
-17.89
-18.40
-15.60
Ang
83
59
41
37
23
16
13
9
8
23
35
Mag
0.99
0.92
0.82
0.79
0.71
0.67
0.65
0.62
0.61
0.59
0.59
Ang
-5
-21
-32
-35
-45
-50
-53
-59
-68
-84
-104
AT-32033 Typical Noise Parameters,
Common Emitter, Zo = 50
, 1 V, I
C
= 1 mA
Freq.
F
min
GHz
dB
0.5
[1]
0.42
0.9
0.71
1.8
1.37
2.4
1.80
R
n
–
0.48
0.34
0.11
0.07
Mag
0.87
0.73
0.42
0.50
Ang
25
55
143
-162
Note:
1. 0.5 GHz noise parameter values are extrapolated, not measured.
Γ
opt
AT-32033 Typical Scattering Parameters,
Common Emitter, Zo = 50
V
CE
= 1 V, I
C
= 1 mA
Freq.
S
11
S
21
GHz
Mag
Ang
dB
Mag
0.1
0.97
-11
11.09
3.58
0.5
0.81
-52
9.88
3.12
0.9
0.61
-87
8.07
2.53
1.0
0.56
-95
7.65
2.41
1.5
0.41
-136
5.43
1.87
1.8
0.36
-160
4.30
1.64
2.0
0.34
-177
3.74
1.54
2.4
0.34
154
2.49
1.33
3.0
0.38
119
0.96
1.12
4.0
0.46
81
-0.84
0.91
5.0
0.51
56
-1.90
0.80
S
12
Mag
0.023
0.097
0.132
0.137
0.148
0.152
0.158
0.176
0.230
0.368
0.520
S
22
Ang
170
134
107
101
77
66
59
47
32
15
5
dB
-32.75
-20.30
-17.57
-17.24
-16.61
-16.36
-16.05
-15.10
-12.77
-8.68
-5.68
Ang
83
60
46
44
39
41
44
49
55
50
37
Mag
0.99
0.90
0.78
0.76
0.68
0.65
0.63
0.61
0.59
0.56
0.51
Ang
-5
-22
-33
-35
-42
-46
-49
-55
-65
-87
-114
G
0
-5
FREQUENCY (GHz)
2
3
25
1
5
5
4
15
MSG
MAG
S21
MSG
Figure 18. AT-32033 Gains vs.
Frequency at V
CE
= 1 V, I
C
= 1 mA.
AT-32011 Typical Noise Parameters,
Common Emitter, Zo = 50
, 1 V, I
C
= 1 mA
Freq.
F
min
GHz
dB
0.5
[1]
0.42
0.9
0.71
1.8
1.37
2.4
1.80
R
n
–
0.44
0.35
0.18
0.08
Mag
0.79
0.70
0.53
0.55
Ang
26
54
119
158
Note:
1. 0.5 GHz noise parameter values are extrapolated, not measured.
Γ
opt
G
0
-5
FREQUENCY (GHz)
2
3
25
1
5
5
4
15
MSG
MAG
S21
Figure 17. AT-32011 Gains vs.
Frequency at V
CE
= 1 V, I
C
= 1 mA.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AT-32011-TR1 Low Current, High Performance NPN Silicon Bipolar Transistor
AT-32033 Low Current, High Performance NPN Silicon Bipolar Transistor
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參數(shù)描述
AT-32011-BLKG 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 Transistor Si Low Current RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
AT-32011-TR1 功能描述:IC TRANS NPN BIPOLAR SOT-143 RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類(lèi)型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:4.7V 頻率 - 轉(zhuǎn)換:47GHz 噪聲系數(shù)（dB典型值@頻率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:45mA 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應(yīng)商設(shè)備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱(chēng):BFP 740FESD E6327DKR
AT-32011-TR1G 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 Transistor Si Low Current RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
AT-32011-TR2G 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 Transistor Si Low Current RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
AT320240Q 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:李守華 15889415469
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