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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | AT-32011-BLK |
| 英文描述： | Low Current, High Performance NPN Silicon Bipolar Transistor |
| 中文描述： | 低電流，高性能NPN硅雙極晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 8/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 125K |
| 代理商： | AT-32011-BLK |
4-60
AT-32011 Typical Noise Parameters,
Common Emitter, Zo = 50
, 2.7 V, I
C
= 2 mA
Freq.
F
min
GHz
dB
0.5
[1]
0.52
0.9
0.75
1.8
1.26
2.4
1.60
R
n
–
0.34
0.28
0.16
0.09
Mag
0.73
0.63
0.44
0.45
Ang
20
49
111
153
Note:
1. 0.5 GHz noise parameter values are extrapolated, not measured.
AT-32011 Typical Scattering Parameters,
Common Emitter, Zo = 50
V
CE
= 5 V, I
C
= 2 mA
Freq.
S
11
S
21
GHz
Mag
Ang
dB
Mag
0.1
0.95
-13
16.65
6.80
0.5
0.81
-57
15.18
5.74
0.9
0.68
-93
13.16
4.55
1.0
0.64
-100
12.69
4.31
1.5
0.55
-133
10.31
3.28
1.8
0.51
-150
9.05
2.84
2.0
0.49
-161
8.43
2.64
2.4
0.47
180
7.06
2.25
3.0
0.47
153
5.29
1.84
4.0
0.52
118
3.07
1.42
5.0
0.59
94
1.17
1.14
S
12
Mag
0.016
0.066
0.092
0.095
0.106
0.109
0.109
0.112
0.116
0.138
0.183
S
22
Ang
170
137
113
109
88
78
71
60
45
24
6
dB
-35.84
-23.56
-20.72
-20.42
-19.49
-19.29
-19.22
-19.03
-18.72
-17.19
-14.73
Ang
82
58
43
40
32
29
28
29
31
37
38
Mag
0.99
0.87
0.74
0.72
0.63
0.60
0.58
0.55
0.54
0.52
0.51
Ang
-6
-23
-34
-36
-43
-47
-50
-55
-62
-75
-92
Γ
opt
G
0
0
FREQUENCY (GHz)
2
3
30
1
5
10
4
20
MSG
MAG
S21
Figure 23. AT-32011 Gains vs.
Frequency at V
CE
= 5 V, I
C
= 2 mA.
AT-32033 Typical Scattering Parameters,
Common Emitter, Zo = 50
V
CE
= 5 V, I
C
= 2 mA
Freq.
S
11
S
21
GHz
Mag
Ang
dB
Mag
0.1
0.94
-13
16.56
6.73
0.5
0.69
-54
14.34
5.21
0.9
0.45
-82
11.62
3.81
1.0
0.40
-89
11.03
3.56
1.5
0.23
-121
8.33
2.61
1.8
0.17
-147
7.04
2.25
2.0
0.15
-167
6.36
2.08
2.4
0.14
151
5.06
1.79
3.0
0.20
109
3.52
1.50
4.0
0.31
76
1.66
1.21
5.0
0.38
55
0.26
1.03
S
12
Mag
0.017
0.065
0.090
0.096
0.119
0.135
0.148
0.175
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0.333
0.457
S
22
Ang
167
128
102
98
77
68
62
51
37
19
5
dB
-35.39
-23.74
-20.92
-20.35
-18.49
-17.39
-16.59
-15.14
-12.92
-9.55
-6.80
Ang
82
62
56
55
56
58
59
60
59
53
42
Mag
0.99
0.85
0.73
0.72
0.66
0.65
0.63
0.62
0.61
0.59
0.55
Ang
-5
-21
-28
-30
-35
-37
-40
-44
-53
-70
-90
AT-32033 Typical Noise Parameters,
Common Emitter, Zo = 50
, 5 V, I
C
= 2 mA
Freq.
F
min
GHz
dB
0.5
[1]
0.52
0.9
0.75
1.8
1.26
2.4
1.60
Note:
1. 0.5 GHz noise parameter values are extrapolated, not measured.
R
n
–
0.42
0.30
0.11
0.07
Mag
0.79
0.65
0.33
0.39
Ang
15
48
127
-166
Γ
opt
G
0
0
FREQUENCY (GHz)
2
3
30
1
5
10
4
20
MSG
MAG
S21
MSG
Figure 24. AT-32033 Gains vs.
Frequency at V
CE
= 5 V, I
C
= 2 mA.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AT-32011-TR1 | Low Current, High Performance NPN Silicon Bipolar Transistor |
| AT-32033 | Low Current, High Performance NPN Silicon Bipolar Transistor |
| AT-32033-TR1 | Low Current, High Performance NPN Silicon Bipolar Transistor |
| AT-32063-BLK | Low Current, High Performance NPN Silicon Bipolar Transistor |
| AT-32063-TR1 | Low Current, High Performance NPN Silicon Bipolar Transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AT-32011-BLKG | 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 Transistor Si Low Current RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| AT-32011-TR1 | 功能描述:IC TRANS NPN BIPOLAR SOT-143 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:4.7V 頻率 - 轉(zhuǎn)換:47GHz 噪聲系數(shù)（dB典型值@頻率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應(yīng)商設(shè)備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR |
| AT-32011-TR1G | 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 Transistor Si Low Current RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| AT-32011-TR2G | 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 Transistor Si Low Current RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| AT320240Q | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:李守華 15889415469 |
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