參數(shù)資料
型號(hào)： AT-41511-BLKG
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： C BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMT, 4 PIN
文件頁數(shù)： 7/10頁
文件大?。?/td> 119K
代理商： AT-41511-BLKG
6
GAIN
(dB)
0
30
0
FREQUENCY (GHz)
14
5
25
15
5
3
20
10
2
MSG
MAG
MSG
S21
Figure 14. AT-41511 Gains vs. Frequency at VCE =
5 V, IC = 5 mA.
AT-41511Typical Scattering Parameters,Common Emitter, Z
o = 50 Ω, VCE = 5 V, IC = 5 mA
Freq.
S11
S21
S12
S22
GHz
Mag
Ang
dB
Mag
Ang
dB
Mag
Ang
Mag
Ang
0.1
0.88
-25
23.47
14.918
162
-34.89
0.018
77
0.95
-11
0.5
0.61
-96
19.31
9.234
116
-25.04
0.056
49
0.66
-33
0.9
0.50
-135
15.49
5.948
94
-23.22
0.069
44
0.52
-38
1.0
0.48
-142
14.70
5.433
90
-22.85
0.072
43
0.50
-39
1.5
0.45
-170
11.59
3.796
74
-21.31
0.086
44
0.45
-42
1.8
0.45
176
10.13
3.210
66
-20.45
0.095
45
0.44
-44
2.0
0.45
168
9.31
2.921
61
-19.91
0.101
46
0.43
-46
2.4
0.45
154
7.85
2.469
52
-18.86
0.114
46
0.42
-51
3.0
0.48
136
6.06
2.009
39
-17.33
0.136
46
0.42
-58
4.0
0.53
111
3.77
1.544
19
-15.09
0.176
43
0.40
-72
5.0
0.58
92
1.91
1.246
2
-13.07
0.222
39
0.40
-90
AT-41511 Typical Noise Parameters,
Common Emitter, Zo = 50 Ω, VCE = 5 V, IC = 5 mA
Freq
Fmin
*opt
Rn
GHz
dB
Mag
Ang
-
0.1
0.8
0.46
5
0.30
0.9
1.0
0.39
60
0.22
1.8
1.4
0.34
130
0.13
2.4
1.7
0.39
173
0.09
AT-41533Typical Scattering Parameters,Common Emitter, Z
o = 50 Ω, VCE = 5 V, IC = 5 mA
Freq.
S11
S21
S12
S22
GHz
Mag
Ang
dB
Mag
Ang
dB
Mag
Ang
Mag
Ang
0.1
0.79
-28
23.48
14.932
155
-34.89
0.018
76
0.95
-11
0.5
0.36
-94
17.15
7.200
104
-25.35
61
0.65
-25
0.9
0.22
-137
12.77
4.349
84
-21.94
0.080
63
0.58
-27
1.0
0.20
-148
11.93
3.948
81
-21.21
0.087
64
0.57
-29
1.5
0.18
165
8.77
2.746
65
-18.20
0.123
65
0.56
-34
1.8
0.19
145
7.34
2.328
58
-16.65
0.147
65
0.55
-37
2.0
0.21
134
6.56
2.128
53
-15.70
0.164
65
0.55
-39
2.4
0.24
118
5.22
1.823
44
-14.02
0.199
63
0.54
-45
3.0
0.28
100
3.68
1.527
32
-11.77
0.258
59
0.53
-55
4.0
0.35
80
1.87
1.240
14
-8.61
0.371
50
0.50
-74
5.0
0.42
61
0.52
1.062
0
-6.18
0.491
37
0.47
-97
AT-41533 Typical Noise Parameters,
Common Emitter, Zo = 50 Ω, VCE = 5 V, IC = 5 mA
Freq
Fmin
*opt
Rn
GHz
dB
Mag
Ang
-
0.1
0.7
0.46
7
0.21
0.9
1.0
0.29
86
0.13
1.8
1.4
0.36
-163
0.07
2.4
1.6
0.53
-126
0.15
GAIN
(dB)
0
30
0
FREQUENCY (GHz)
14
5
25
15
5
3
20
10
2
MSG
MAG
MSG
S21
Figure 15. AT-41533 Gains vs. Frequency at VCE =
5 V, IC = 5 mA.
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PDF描述
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AT-41511-BLKG 制造商:Avago Technologies 功能描述:RF Bipolar Transistor
AT-41511-TR1 功能描述:IC TRANS NPN GP BIPOLAR SOT-143 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:4.7V 頻率 - 轉(zhuǎn)換:47GHz 噪聲系數(shù)（dB典型值@頻率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應(yīng)商設(shè)備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR
AT-41511-TR1G 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 Transistor Si RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
AT-41511-TR2G 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 Transistor Si RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
AT4151A 功能描述:開關(guān)配件 .450" WIDE BLK PADDL CAP FOR M & M2T RoHS:否 制造商:C&K Components 類型:Cap 用于:Pushbutton Switches 設(shè)計(jì)目的:
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