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參數(shù)資料
| 型號： | AT-42000-GP4 |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | C BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | DIE-2 |
| 文件頁數(shù)： | 5/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 168K |
| 代理商： | AT-42000-GP4 |
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AV02-1002EN - January 16, 2008
305 m
12 mil
30 m
1.18 mil
305 m
12 mil
Emitter Pad
Base Pad
DIA
90 m
3.54 mil
Note: Die thickness is 5 to 6 mil.
AT-42000 Chip Dimensions
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AT-42010 | C BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| AT-42035 | C BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| AT-42036-TR1G | C BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| AT-42036-BLKG | C BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| AT-42085 | C BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AT42010 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 80MA I(C) | SOT-100VAR |
| AT-42010 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 Transistor Si RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| AT42035 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 80MA I(C) | MICRO-X |
| AT-42035 | 制造商:AVAGO 制造商全稱:AVAGO TECHNOLOGIES LIMITED 功能描述:Up to 6 GHz Medium Power Silicon Bipolar Transistor |
| AT-42035-BLK | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 12V V(BR)CEO | 80MA I(C) | MICRO-X |
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