參數(shù)資料
型號(hào)： ATF-33143-BLK
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： X BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET
封裝： PLASTIC, SC-70, 4 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 8/18頁(yè)
文件大?。?/td> 154K
代理商： ATF-33143-BLK
16
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No. of
Part Number
Devices
Container
ATF-33143-TR1
3000
7" Reel
ATF-33143-TR2
10000
13" Reel
ATF-33143-BLK
100
antistatic bag
ATF-33143-TR1G
3000
7" Reel
ATF-33143-TR2G
10000
13" Reel
ATF-33143-BLKG
100
antistatic bag
Package Dimensions
SC-70 4L/SOT-343
HE
D
A2
A1
b
b1
E
1.30 (.051)
BSC
1.15 (.045) BSC
C
L
A
DIMENSIONS (mm)
MIN.
1.15
1.85
1.80
0.80
0.00
0.25
0.55
0.10
MAX.
1.35
2.25
2.40
1.10
1.00
0.10
0.40
0.70
0.20
0.46
SYMBOL
E
D
HE
A
A2
A1
b
b1
c
L
NOTES:
1. All dimensions are in mm.
2. Dimensions are inclusive of plating.
3. Dimensions are exclusive of mold flash & metal burr.
4. All specifications comply to EIAJ SC70.
5. Die is facing up for mold and facing down for trim/form,
ie: reverse trim/form.
6. Package surface to be mirror finish.
Note:
For lead-free option, the part number will have the character “G”
at the end.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
ATF-33143-TR1 X BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET
ATF-50189 0 MHz - 2400 MHz RF/MICROWAVE NARROW BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER
ATS535SSB PROXIMITY SENSOR-HALL EFFECT, 65-95mA, ROUND, THROUGH HOLE MOUNT
ATS535JSB PROXIMITY SENSOR-HALL EFFECT, 65-95mA, ROUND, THROUGH HOLE MOUNT
ATS611LSB PROXIMITY SENSOR-HALL EFFECT, 0.5-2.5mm, 0.40V, ROUND, THROUGH HOLE MOUNT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
ATF-33143-BLKG 功能描述:射頻GaAs晶體管 Transistor GaAs Low Noise RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類(lèi)型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
ATF-33143-BLKG 制造商:Avago Technologies 功能描述:RF Bipolar Transistor
ATF-33143-G 制造商:Avago Technologies 功能描述:Transistor JFET N-Ch 5.5V 305mA SOT343
ATF-33143-TR1 制造商:AGILENT 制造商全稱(chēng):AGILENT 功能描述:Low Noise Pseudomorphic HEMT in a Surface Mount Plastic Package
ATF-33143-TR1G 功能描述:射頻GaAs晶體管 Transistor GaAs Low Noise RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類(lèi)型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
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