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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | AX1000-2BG729I |
| 廠商： | Microsemi SoC |
| 文件頁數(shù)： | 2/262頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FPGA AXCELERATOR 1M 729-PBGA |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 24 |
| 系列： | Axcelerator |
| 邏輯元件/單元數(shù)： | 12096 |
| RAM 位總計(jì)： | 165888 |
| 輸入/輸出數(shù)： | 516 |
| 門數(shù)： | 1000000 |
| 電源電壓： | 1.425 V ~ 1.575 V |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 工作溫度： | -40°C ~ 85°C |
| 封裝/外殼： | 729-BBGA |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 729-PBGA（35x35） |
第1頁當(dāng)前第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁第129頁第130頁第131頁第132頁第133頁第134頁第135頁第136頁第137頁第138頁第139頁第140頁第141頁第142頁第143頁第144頁第145頁第146頁第147頁第148頁第149頁第150頁第151頁第152頁第153頁第154頁第155頁第156頁第157頁第158頁第159頁第160頁第161頁第162頁第163頁第164頁第165頁第166頁第167頁第168頁第169頁第170頁第171頁第172頁第173頁第174頁第175頁第176頁第177頁第178頁第179頁第180頁第181頁第182頁第183頁第184頁第185頁第186頁第187頁第188頁第189頁第190頁第191頁第192頁第193頁第194頁第195頁第196頁第197頁第198頁第199頁第200頁第201頁第202頁第203頁第204頁第205頁第206頁第207頁第208頁第209頁第210頁第211頁第212頁第213頁第214頁第215頁第216頁第217頁第218頁第219頁第220頁第221頁第222頁第223頁第224頁第225頁第226頁第227頁第228頁第229頁第230頁第231頁第232頁第233頁第234頁第235頁第236頁第237頁第238頁第239頁第240頁第241頁第242頁第243頁第244頁第245頁第246頁第247頁第248頁第249頁第250頁第251頁第252頁第253頁第254頁第255頁第256頁第257頁第258頁第259頁第260頁第261頁第262頁
General Description
1- 4
R ev isio n 1 8
The SRAM blocks are arranged in a column on the west side of the tile (Figure 1-6 on page 1-4).
Embedded Memory
As mentioned earlier, each core tile has either three (in a smaller tile) or four (in the regular tile)
embedded SRAM blocks along the west side, and each variable-aspect-ratio SRAM block is 4,608 bits in
size. Available memory configurations are: 128x36, 256x18, 512x9, 1kx4, 2kx2 or 4kx1 bits. The
individual blocks have separate read and write ports that can be configured with different bit widths on
each port. For example, data can be written in by eight and read out by one.
In addition, every SRAM block has an embedded FIFO control unit. The control unit allows the SRAM
block to be configured as a synchronous FIFO without using core logic modules. The FIFO width and
depth are programmable. The FIFO also features programmable ALMOST-EMPTY (AEMPTY) and
ALMOST-FULL (AFULL) flags in addition to the normal EMPTY and FULL flags. In addition to the flag
logic, the embedded FIFO control unit also contains the counters necessary for the generation of the
read and write address pointers as well as control circuitry to prevent metastability and erroneous
operation. The embedded SRAM/FIFO blocks can be cascaded to create larger configurations.
I/O Logic
The Axcelerator family of FPGAs features a flexible I/O structure, supporting a range of mixed voltages
with its bank-selectable I/Os: 1.5V, 1.8V, 2.5V, and 3.3V. In all, Axcelerator FPGAs support at least 14
different I/O standards (single-ended, differential, voltage-referenced). The I/Os are organized into
banks, with eight banks per device (two per side). The configuration of these banks determines the I/O
standards supported (see "User I/Os" on page 2-11 for more information). All I/O standards are available
in each bank.
Each I/O module has an input register (InReg), an output register (OutReg), and an enable register
(EnReg) (Figure 1-7 on page 1-5). An I/O Cluster includes two I/O modules, four RX modules, two TX
modules, and a buffer (B) module.
Figure 1-6
AX Device Architecture (AX1000 shown)
Chip Layout
SuperCluster
I/O Structure
See Figure 7
RAMC
HD
SC
HD
SC
HD
SC
HD
SC
HD
SC
HD
SC
HD
SC
RD
SC
HD
SC
HD
SC
HD
SC
HD
SC
HD
SC
HD
SC
Core Tile
4k
RAM/
FIFO
4k
RAM/
FIFO
4k
RAM/
FIFO
4k
RAM/
FIFO
RX
TX
B
C
R
C
R
RX
TX
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