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B82464G2474M

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  • B82464G2474M
    B82464G2474M

    B82464G2474M

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • EPCOS (TDK)

  • 標準封裝

  • 16+

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝正品

  • 1/1頁 40條/頁 共3條 
  • 1
B82464G2474M PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 制造商
  • TDK Epcos
  • 功能描述
  • SMT-INDUCTOR 10X10 470UH
B82464G2474M 技術參數(shù)
  • B82464G2473M 功能描述:47μH Shielded Wirewound Inductor 1.12A 235 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82464G2 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:47μH 容差:±20% 額定電流:1.12A 電流 - 飽和值:1.1A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):235 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.409" 長 x 0.409" 寬(10.40mm x 10.40mm) 高度 - 安裝(最大值):0.118"(3.00mm) 標準包裝:1,250 B82464G2472M 功能描述:4.7μH Shielded Wirewound Inductor 3.1A 33 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82464G2 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:4.7μH 容差:±20% 額定電流:3.1A 電流 - 飽和值:3.1A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):33 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.409" 長 x 0.409" 寬(10.40mm x 10.40mm) 高度 - 安裝(最大值):0.118"(3.00mm) 標準包裝:1,250 B82464G2392M 功能描述:3.9μH Shielded Wirewound Inductor 3.45A 27 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82464G2 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:3.9μH 容差:±20% 額定電流:3.45A 電流 - 飽和值:3.45A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):27 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.409" 長 x 0.409" 寬(10.40mm x 10.40mm) 高度 - 安裝(最大值):0.118"(3.00mm) 標準包裝:1,250 B82464G2334M 功能描述:330μH Shielded Wirewound Inductor 410mA 1.6 Ohm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82464G2 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:330μH 容差:±20% 額定電流:410mA 電流 - 飽和值:400mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):1.6 歐姆最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.409" 長 x 0.409" 寬(10.40mm x 10.40mm) 高度 - 安裝(最大值):0.118"(3.00mm) 標準包裝:1,250 B82464G2333M 功能描述:33μH Shielded Wirewound Inductor 1.2A 195 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82464G2 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:33μH 容差:±20% 額定電流:1.2A 電流 - 飽和值:1.25A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):195 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.409" 長 x 0.409" 寬(10.40mm x 10.40mm) 高度 - 安裝(最大值):0.118"(3.00mm) 標準包裝:1,250 B82464G4153M B82464G4154M B82464G4222M B82464G4223M B82464G4224M B82464G4273M B82464G4273M000 B82464G4332M B82464G4333M B82464G4334M B82464G4472M B82464G4473M B82464G4474M B82464G4682M B82464G4683M B82464G4684M B82464G4821M B82464G4821M000
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