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B82464G2752M

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  • 型號
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  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • B82464G2752M
    B82464G2752M

    B82464G2752M

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • EPCOS (TDK)

  • 標準封裝

  • 16+

  • -

  • 假一罰十，百分百原裝正品

  • 1/1頁 40條/頁 共4條 
  • 1
B82464G2752M PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 功能描述
  • 7.5μH Shielded Wirewound Inductor 2.6A 47 mOhm Max Nonstandard
  • 制造商
  • epcos (tdk)
  • 系列
  • B82464G2
  • 包裝
  • 帶卷（TR）
  • 零件狀態(tài)
  • 過期
  • 類型
  • 繞線
  • 材料 - 磁芯
  • 鐵氧體
  • 電感
  • 7.5μH
  • 容差
  • ±20%
  • 額定電流
  • 2.6A
  • 電流 - 飽和值
  • 2.65A
  • 屏蔽
  • 屏蔽
  • DC 電阻（DCR）
  • 47 毫歐最大
  • 不同頻率時的 Q 值
  • -
  • 頻率 - 自諧振
  • -
  • 等級
  • AEC-Q200
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C
  • 頻率 - 測試
  • 100kHz
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • 非標準
  • 大小/尺寸
  • 0.409" 長 x 0.409" 寬（10.40mm x 10.40mm）
  • 高度 - 安裝（最大值）
  • 0.118"（3.00mm）
  • 標準包裝
  • 1,250
B82464G2752M 技術參數
  • B82464G2683M 功能描述:68μH Shielded Wirewound Inductor 910mA 370 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82464G2 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:68μH 容差:±20% 額定電流:910mA 電流 - 飽和值:880mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:370 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.409" 長 x 0.409" 寬（10.40mm x 10.40mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.118"（3.00mm） 標準包裝:1,250 B82464G2682M 功能描述:6.8μH Shielded Wirewound Inductor Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82464G2 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:6.8μH 容差:±20% 額定電流:- 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:- 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.409" 長 x 0.409" 寬（10.40mm x 10.40mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.118"（3.00mm） 標準包裝:1,250 B82464G2474M 功能描述:470μH Shielded Wirewound Inductor Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82464G2 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:470μH 容差:±20% 額定電流:- 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:- 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.409" 長 x 0.409" 寬（10.40mm x 10.40mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.118"（3.00mm） 標準包裝:1,250 B82464G2473M 功能描述:47μH Shielded Wirewound Inductor 1.12A 235 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82464G2 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:47μH 容差:±20% 額定電流:1.12A 電流 - 飽和值:1.1A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:235 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.409" 長 x 0.409" 寬（10.40mm x 10.40mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.118"（3.00mm） 標準包裝:1,250 B82464G2472M 功能描述:4.7μH Shielded Wirewound Inductor 3.1A 33 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82464G2 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:4.7μH 容差:±20% 額定電流:3.1A 電流 - 飽和值:3.1A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:33 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.409" 長 x 0.409" 寬（10.40mm x 10.40mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.118"（3.00mm） 標準包裝:1,250 B82464G4223M B82464G4224M B82464G4273M B82464G4273M000 B82464G4332M B82464G4333M B82464G4334M B82464G4472M B82464G4473M B82464G4474M B82464G4682M B82464G4683M B82464G4684M B82464G4821M B82464G4821M000 B82464P4102M B82464P4102M000 B82464P4103M
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