B82464G2682M

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價(jià)格
說明
操作

B82464G2682M
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
5000
EPCOS (TDK)
標(biāo)準(zhǔn)封裝
16+
-
假一罰十，百分百原裝正品

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1

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功能描述
6.8μH Shielded Wirewound Inductor Nonstandard
制造商
epcos (tdk)
系列
B82464G2
包裝
帶卷（TR）
零件狀態(tài)
過期
類型
繞線
材料 - 磁芯
鐵氧體
電感
6.8μH
容差
±20%
額定電流
-
電流 - 飽和值
-
屏蔽
屏蔽
DC 電阻（DCR）
-
不同頻率時(shí)的 Q 值
-
頻率 - 自諧振
-
等級
AEC-Q200
工作溫度
-55°C ~ 150°C
頻率 - 測試
100kHz
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
非標(biāo)準(zhǔn)
大小/尺寸
0.409" 長 x 0.409" 寬（10.40mm x 10.40mm）
高度 - 安裝（最大值）
0.118"（3.00mm）
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1,250

B82464G2682M 技術(shù)參數(shù)

B82464G2474M 功能描述:470μH Shielded Wirewound Inductor Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82464G2 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:470μH 容差:±20% 額定電流:- 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:- 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.409" 長 x 0.409" 寬（10.40mm x 10.40mm）高度 - 安裝（最大值）:0.118"（3.00mm）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,250 B82464G2473M 功能描述:47μH Shielded Wirewound Inductor 1.12A 235 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82464G2 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:47μH 容差:±20% 額定電流:1.12A 電流 - 飽和值:1.1A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:235 毫歐最大不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.409" 長 x 0.409" 寬（10.40mm x 10.40mm）高度 - 安裝（最大值）:0.118"（3.00mm）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,250 B82464G2472M 功能描述:4.7μH Shielded Wirewound Inductor 3.1A 33 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82464G2 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:4.7μH 容差:±20% 額定電流:3.1A 電流 - 飽和值:3.1A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:33 毫歐最大不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.409" 長 x 0.409" 寬（10.40mm x 10.40mm）高度 - 安裝（最大值）:0.118"（3.00mm）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,250 B82464G2392M 功能描述:3.9μH Shielded Wirewound Inductor 3.45A 27 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82464G2 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:3.9μH 容差:±20% 額定電流:3.45A 電流 - 飽和值:3.45A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:27 毫歐最大不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.409" 長 x 0.409" 寬（10.40mm x 10.40mm）高度 - 安裝（最大值）:0.118"（3.00mm）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,250 B82464G2334M 功能描述:330μH Shielded Wirewound Inductor 410mA 1.6 Ohm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82464G2 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:330μH 容差:±20% 額定電流:410mA 電流 - 飽和值:400mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:1.6 歐姆最大不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.409" 長 x 0.409" 寬（10.40mm x 10.40mm）高度 - 安裝（最大值）:0.118"（3.00mm）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,250 B82464G4154M B82464G4222M B82464G4223M B82464G4224M B82464G4273M B82464G4273M000 B82464G4332M B82464G4333M B82464G4334M B82464G4472M B82464G4473M B82464G4474M B82464G4682M B82464G4683M B82464G4684M B82464G4821M B82464G4821M000 B82464P4102M