BUK9Y19-55B/C2,115

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價格
說明
操作

BUK9Y19-55B/C2,115
深圳市琦凌凱科技有限公司
深圳市琦凌凱科技有限公司
聯(lián)系人：彭先生
電話：1331648214918276240346
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道荔村社區(qū)振興路120號賽格科技園4棟中10層10A19
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
6000
NXP/恩智浦
SOT669
22+
-
十年配單，只做原裝

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功能描述
MOSFET N-CHANNEL TRENCHMOS LOGIC LEVEL FET
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續(xù)電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風(fēng)格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

BUK9Y19-55B/C2,115 技術(shù)參數(shù)

BUK9Y19-55B,115 功能描述:MOSFET N-CH 55V 46A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:46A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:18nC @ 5V Vgs（最大值）:±15V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1992pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:85W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:17.3 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BUK9Y19-100E,115 功能描述:MOSFET N-CH 100V 56A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:56A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:39nC @ 5V Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:5085pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:167W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:18 毫歐 @ 15A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BUK9Y15-60E,115 功能描述:MOSFET N-CH 60V 53A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:53A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:17.2nC @ 5V Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2603pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:95W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:13 毫歐 @ 15A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BUK9Y153-100E,115 功能描述:MOSFET N-CH 100V 9.4A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:9.4A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:6.8nC @ 5V Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:716pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:37W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:146 毫歐 @ 2A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BUK9Y15-100E,115 功能描述:MOSFET N-CH 100V 69A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應(yīng) FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:69A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:45.8nC @ 5V Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:6139pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:195W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:14.7 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BUK9Y30-75B/C2,115 BUK9Y38-100E,115 BUK9Y3R0-40E,115 BUK9Y3R5-40E,115 BUK9Y40-55B,115 BUK9Y41-80E,115 BUK9Y43-60E,115 BUK9Y4R4-40E,115 BUK9Y4R8-60E,115 BUK9Y53-100B,115 BUK9Y58-75B,115 BUK9Y59-60E,115 BUK9Y65-100E,115 BUK9Y6R0-60E,115 BUK9Y72-80E,115 BUK9Y7R2-60E,115 BUK9Y7R6-40E,115 BUK9Y7R8-80E,115