參數(shù)資料
型號： BCW61C-T
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 200 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SOT-23, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大小： 120K
代理商： BCW61C-T
1999 Apr 12
2
NXP Semiconductors
Product data sheet
PNP general purpose transistors
BCW61 series
FEATURES
Low current (max. 100 mA)
Low voltage (max. 32 V).
APPLICATIONS
General purpose switching and amplification.
DESCRIPTION
PNP transistor in a SOT23 plastic package.
NPN complement: BCW60.
MARKING
Note
1.
= p : Made in Hong Kong.
= t : Made in Malaysia.
PINNING
TYPE NUMBER
MARKING CODE(1)
BCW61B
BB
BCW61C
BC
BCW61D
BD
PIN
DESCRIPTION
1
base
2
emitter
3
collector
Fig.1 Simplified outline (SOT23) and symbol.
handbook, halfpage
2
1
3
MAM256
Top view
2
3
1
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
Note
1.
Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
VCBO
collector-base voltage
open emitter
32
V
VCEO
collector-emitter voltage
open base
32
V
VEBO
emitter-base voltage
open collector
5
V
IC
collector current (DC)
100
mA
ICM
peak collector current
200
mA
IBM
peak base current
100
mA
Ptot
total power dissipation
Tamb ≤ 25 °C; note 1
250
mW
Tstg
storage temperature
65
+150
°C
Tj
junction temperature
150
°C
Tamb
operating ambient temperature
65
+150
°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BCW61CTRL13 200 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BCW61DS62Z 100 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BCW70/T4 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BCW70-T 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BCX17T/R 500 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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BCW61CT116 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 32V 200MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCW61CTA 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCW61CTC 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCW61D 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Transistor PNP AF 32V 100mA hfe500 SOT23
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